[发明专利]刻蚀方法

摘要

本发明提供了一种刻蚀方法，包括：在所述半导体衬底上形成介质层，之后在所述介质层上形成第一掩模材料层，并刻蚀所述第一掩模材料层形成第一掩模；之后对所述第一掩模进行刻蚀后处理工艺，并以后刻蚀处理工艺后的第一掩模为掩模刻蚀所述介质层，在介质层内形成沟槽。所述刻蚀后处理工艺一方面可有效去除刻蚀第一掩模材料层时形成的副产物，避免这些副产物吸附在第一掩模上，以提高第一掩模的精度；另一方面，在去除这些副产物后，在后续刻蚀介质层时，可有效避免这些副产物与刻蚀气体、第一掩模的材料以及介质层再次反应形成其他副产物，进而避免上述各副产物破坏形成于介质层内的沟槽的形貌，优化沟槽的形貌。

主权项

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成第一掩模材料层，刻蚀所述第一掩模材料层形成第一掩模；对所述第一掩模进行刻蚀后处理工艺；以完成刻蚀后处理工艺的第一掩模为掩模刻蚀所述介质层，在介质层内形成沟槽；所述刻蚀后处理工艺包括：通入修复气体，在所述第一掩模的刻蚀表面形成保护层；所述修复气体为甲烷和氧气的混合气体、二氧化碳和一氧化碳的混合气体、氮气和氢气的混合气体、二氧化碳或氮气。