[发明专利]刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成介质层；

在所述介质层上形成第一掩模材料层，刻蚀所述第一掩模材料层形成第一掩模；

对所述第一掩模进行刻蚀后处理工艺；

以完成刻蚀后处理工艺的第一掩模为掩模刻蚀所述介质层，在介质层内形成沟槽；

所述刻蚀后处理工艺包括：

通入修复气体，在所述第一掩模的刻蚀表面形成保护层；

所述修复气体为甲烷和氧气的混合气体、二氧化碳和一氧化碳的混合气体、氮气和氢气的混合气体、二氧化碳或氮气。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀后处理工艺的参数包括：

气压为20～500mtorr，修复气体的流量为50～2000sccm。

3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，当所述修复气体为甲烷和氧气的混合气体，所述甲烷和氧气的流量比为10:1～100:1；

当所述修复气体为氮气和氢气的混合气体，所述氮气和氢气的流量比为10:1～100:1；

当所述修复气体为二氧化碳和一氧化碳的混合气体，所述二氧化碳和一氧化碳的流量比为3:1～5:1。

4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在对所述第一掩模进行刻蚀后处理工艺后，刻蚀所述介质层前，所述刻蚀方法还包括：

在所述第一掩模上形成第二掩模；

以所述第二掩模为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成开孔；

在形成所述开孔之后，去除所述第二掩模。

5.如权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二掩模为光刻胶掩模，所述刻蚀方法还包括：在对所述第一掩模进行刻蚀后处理工艺后，在形成所述第二掩模前，在所述半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖在所述第一掩模上；

在所述牺牲层上形成抗反射层；

以所述第二掩模为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成开孔的步骤包括：

以所述第二掩模为掩模刻蚀所述抗反射层、牺牲层和介质层，在所述介质层内形成所述开孔；

去除所述第二掩模后，去除所述抗反射层和牺牲层。

6.如权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述牺牲层为有机沉积层。

7.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一掩模为金属掩模。

8.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一掩模的材料为氮化钽或氮化钛。

9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述介质层上形成第一掩模材料层之前，所述刻蚀方法还包括：在所述介质层上形成阻挡层；

形成所述第一掩模材料层的步骤包括：在所述阻挡层上形成所述第一掩模材料层。

10.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述介质层的步骤为干法刻蚀，所述干法刻蚀以八氟环丁烷、氧气、氮气和氩气的混合气体为刻蚀气体。

11.如权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀的步骤包括：刻蚀气体的流量为1000sccm～2000sccm，气压为50～200mtorr，功率为0～4000W，在刻蚀气体中所述八氟环丁烷、氧气、氮气和氩气的流量比为1～5:1:1～5:10～100。

12.如权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体还包括四氟化碳、氢气和三氟甲烷中的一种或多种。

13.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述第一掩模材料层的步骤为干法刻蚀，所述干法刻蚀以甲烷、氯气和氮气的混合气体为刻蚀气体。