[发明专利]闪存及其操作方法

摘要

本发明公开了一种闪存，电源电压为闪存供电，闪存的闪存阵列结构由多个闪存单元结构排列组成。闪存单元结构包括第一源漏区、第二源漏区，在沟道区的表面上方形成有第一控制栅、字线栅和第二控制栅，第一控制栅和所述第二控制栅中分别包括有用于存储电荷信息的浮栅，第一控制栅和第二控制栅在字线栅两侧呈对称结构。在对闪存阵列结构中的一个闪存单元结构进行读取操作时，未被读取的位线都连接到电源电压，通过未被读取的位线的寄生电容组成电源电压的去耦电容，通过去耦电容去除电源电压上的噪声干扰。本发明还公开了一种闪存的操作方法。本发明不需要增加额外的电源电压的去耦电容的面积，从而能减少整个闪存芯片的面积，降低芯片成本。

主权项

1.一种闪存，其特征在于：电源电压为闪存供电，所述闪存包括闪存阵列结构，所述闪存阵列结构由多个闪存单元结构排列组成；所述闪存单元结构包括由N+掺杂区组成的第一源漏区和第二源漏区，所述第一源漏区和所述第二源漏区之间为P型掺杂的沟道区，所述沟道区的表面用于形成连接所述第一源漏区和所述第二源漏区的沟道；在所述沟道区的表面上方形成有第一控制栅、字线栅和第二控制栅，所述第一控制栅和所述第二控制栅中分别包括有用于存储电荷信息的浮栅；所述第一控制栅、所述字线栅和所述第二控制栅并排排列在所述第一源漏区和所述第二源漏区之间，所述第一控制栅和所述第二控制栅在所述字线栅两侧呈对称结构，所述第一源漏区和所述第二源漏区呈对称结构；所述第一控制栅、所述字线栅和所述第二控制栅分别用于控制所述沟道的一部分的形成；所述第一源漏区连接第一位线、所述第二源漏区连接第二位线、所述第一控制栅连接第一控制栅极线、所述第二控制栅连接第二控制栅极线、所述字线栅连接字线；所述闪存阵列结构为：同一行的所述闪存单元结构的所述第一控制栅都连接同一根所述第一控制栅极线、所述第二控制栅都连接同一根所述第二控制栅极线、所述字线栅都连接同一根所述字线；同一列的所述闪存单元结构的所述第一源漏区都连接同一根所述第一位线、所述第二源漏区都连接同一根所述第二位线；在对所述闪存阵列结构中的一个所述闪存单元结构进行读取操作时，被读取的所述闪存单元结构之外的其它列的所述闪存单元结构所对应的所述第一位线和所述第二位线都连接到所述电源电压，通过被读取的所述闪存单元结构之外的其它列的所述闪存单元结构的位线的寄生电容组成所述电源电压的去耦电容，通过所述去耦电容去除所述电源电压上的噪声干扰。