[发明专利]闪存及其操作方法

权利要求书

1.一种闪存，其特征在于：电源电压为闪存供电，所述闪存包括闪存阵列结构，所述闪存阵列结构由多个闪存单元结构排列组成；

所述闪存单元结构包括由N+掺杂区组成的第一源漏区和第二源漏区，所述第一源漏区和所述第二源漏区之间为P型掺杂的沟道区，所述沟道区的表面用于形成连接所述第一源漏区和所述第二源漏区的沟道；在所述沟道区的表面上方形成有第一控制栅、字线栅和第二控制栅，所述第一控制栅和所述第二控制栅中分别包括有用于存储电荷信息的浮栅；所述第一控制栅、所述字线栅和所述第二控制栅并排排列在所述第一源漏区和所述第二源漏区之间，所述第一控制栅和所述第二控制栅在所述字线栅两侧呈对称结构，所述第一源漏区和所述第二源漏区呈对称结构；所述第一控制栅、所述字线栅和所述第二控制栅分别用于控制所述沟道的一部分的形成；所述第一源漏区连接第一位线、所述第二源漏区连接第二位线、所述第一控制栅连接第一控制栅极线、所述第二控制栅连接第二控制栅极线、所述字线栅连接字线；

所述闪存阵列结构为：同一行的所述闪存单元结构的所述第一控制栅都连接同一根所述第一控制栅极线、所述第二控制栅都连接同一根所述第二控制栅极线、所述字线栅都连接同一根所述字线；同一列的所述闪存单元结构的所述第一源漏区都连接同一根所述第一位线、所述第二源漏区都连接同一根所述第二位线；

在对所述闪存阵列结构中的一个所述闪存单元结构进行读取操作时，被读取的所述闪存单元结构之外的其它列的所述闪存单元结构所对应的所述第一位线和所述第二位线都连接到所述电源电压，通过被读取的所述闪存单元结构之外的其它列的所述闪存单元结构的位线的寄生电容组成所述电源电压的去耦电容，通过所述去耦电容去除所述电源电压上的噪声干扰。

2.如权利要求1所述闪存，其特征在于：所述闪存还包括行译码器和列译码器，所述列译码器用于选定各列所对应的位线，所述列译码器包括列译码器高压部分和列译码器低压部分；

所述列译码器低压部分用于所述闪存进行读取操作时选定所要读取的位线并将该位线连接到读取电流；

所述列译码器高压部分用于在所述闪存进行读取操作时选定未被读取的位线并将未被读取的位线都连接到所述电源电压、以及在所述闪存进行编程操作时选定所要编程的位线并将该位线连接到源漏编程电压。

3.如权利要求2所述闪存，其特征在于：每一根位线所对应的所述列译码器的部分包括：第一PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第一PMOS管属于所述列译码器高压部分，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管属于所述列译码器低压部分；所述第一PMOS管漏极连接所对应的位线、源极连接第一电压，所述第二NMOS管的漏极连接所对应的位线、源极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极连接所述读取电流，所述第一PMOS管的栅极连接第一使能信号，所述第三NMOS管的栅极连接第二使能信号，所述第一使能信号是所述第二使能信号的反相信号，所述第二NMOS管的栅极连接隔离信号；在所述闪存进行读取操作时所述第一电压为所述电源电压，在所述闪存进行编程操作时所述第一电压为所述源漏编程电压。

4.如权利要求1所述闪存，其特征在于：所述电源电压由低压差线性稳压器提供。

5.一种操作如权利要求1所述的闪存的方法，其特征在于：所述闪存的操作方法中包括读取操作方法，对所述闪存中的一个所述闪存单元结构的所述第一控制栅所存储的信息的读取操作方法包括如下步骤：

在所要读取的所述闪存单元结构的所述第一控制栅极线加0V电压，在所述第二控制栅极线所加电压要大于形成所述第二控制栅所对应的沟道部分的阈值电压并使所述第二控制栅底部的所述沟道区表面形成沟道，在所述字线所加电压要大于形成所述字线栅所对应的沟道部分的阈值电压并使所述字线栅底部的所述沟道区表面形成沟道；在所述第一位线上加读取电流、在所述第二位线接OV电压；

将所要读取的所述闪存单元结构之外的其它列的所述闪存单元结构所对应的所述第一位线和所述第二位线都连接到所述电源电压，通过所述去耦电容去除所述电源电压上的噪声干扰；

将上述对所述闪存中的一个所述闪存单元结构的所述第一控制栅所存储的信息的读取操作方法中的所述第一控制栅极线和所述第二控制栅极线的信号互换、所述第一位线和所述第二位线的信号互换即得到对所述闪存中的一个所述闪存单元结构的所述第二控制栅所存储的信息的读取操作方法。