[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：基板；设置在所述基板上且沿上下方向延伸的半导体柱；设置在所述半导体柱的侧方、沿第1方向延伸且沿所述上下方向彼此分离地配置的多张第1电极膜；设置在所述半导体柱与所述第1电极膜之间、且沿所述上下方向彼此分离地配置的多个第2电极膜；设置在所述半导体柱与所述第2电极膜之间的第1绝缘膜；和设置在所述第2电极膜与所述第1电极膜之间的第2绝缘膜。

主权项

1.一种半导体存储装置的制造方法，其中，包括：在基板上使绝缘膜及第1膜交替地层叠而形成层叠体的工序；在所述层叠体形成沿第1方向延伸的第1沟槽的工序；通过使所述第1沟槽的内面的所述第1膜的露出面后退，而形成第1凹部的工序；在所述第1沟槽的内面上形成第1绝缘层的工序；在所述第1绝缘层上形成第1导电膜的工序；通过蚀刻去除所述第1凹部外的所述第1导电膜以及所述第1绝缘层，在所述第1凹部内残留所述第1导电膜的一部分以及所述第1绝缘层的一部分的工序；在所述第1沟槽的内面上形成第1绝缘膜的工序；在所述第1绝缘膜上形成半导体膜的工序；在所述层叠体的所述第1沟槽之间形成沿所述第1方向延伸的第2沟槽的工序；通过经由所述第2沟槽去除所述第1膜而形成第2凹部的工序；在所述第2凹部的内面上形成第2绝缘层的工序；在所述第2凹部内形成第2导电膜的工序；和将所述半导体膜以及所述第1导电膜沿所述第1方向断开的工序，包括所述第1绝缘层以及所述第2绝缘层的第2绝缘膜的电性膜厚度比所述第1绝缘膜的电性膜厚度薄，所述第2绝缘膜的介电常数比所述第1绝缘膜的介电常数高。