[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

说明书

本发明提供半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：基板；设置在所述基板上且沿上下方向延伸的半导体柱；设置在所述半导体柱的侧方、沿第1方向延伸且沿所述上下方向彼此分离地配置的多张第1电极膜；设置在所述半导体柱与所述第1电极膜之间、且沿所述上下方向彼此分离地配置的多个第2电极膜；设置在所述半导体柱与所述第2电极膜之间的第1绝缘膜；和设置在所述第2电极膜与所述第1电极膜之间的第2绝缘膜。

技术领域

后述的实施方式主要涉及半导体存储装置及其制造方法。

背景技术

以往以来，NAND闪速存储器，通过平面结构的微细化而增加集成度、降低位成本(bit cost)，但这已逼近极限。因此，近年来提出将存储器单元在上下方向上层叠的技术。在这样的层叠型存储装置中，存储器单元的数据保持特性成问题。

发明内容

本发明提供数据保持特性良好的半导体存储装置及其制造方法。

实施方式涉及的半导体存储装置具备：基板；在所述基板上设置且在上下方向上延伸的半导体柱；多张第1电极膜，其设置在所述半导体柱的侧方且在第1方向上延伸，并沿所述上下方向相互分离地配置；多个第2电极膜，其设置在所述半导体柱与所述第1电极膜之间，且沿所述上下方向相互分离地配置；设置在所述半导体柱与所述第2电极膜之间的第1绝缘膜；和设置在所述第2电极膜与所述第1电极膜之间的第2绝缘膜。

附图说明

图1是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的立体图。

图2是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的剖视图。

图3是示出图2所示的区域A的剖视图。

图4是沿图2所示的B-B’线的剖视图。

图5A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图5B是俯视图。

图6A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图6B是俯视图。

图7A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图7B是俯视图。

图8A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图8B是俯视图。

图9A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图9B是俯视图。

图10A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图10B是俯视图。

图11A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图11B是俯视图。

图12A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图12B是俯视图。

图13A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图13B是俯视图。

图14A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图14B是沿图14A所示的B-B’线的俯视图。

图15A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图15B是沿图15A所示的C-C’线的俯视图，图15C是沿图15A所示的B-B’线的俯视图。

图16是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的俯视图。

图17A是例示第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法的剖视图，图17B是沿图17A所示的B-B’线的俯视图。

图18是例示第1实施方式的变形例涉及的半导体存储装置的剖视图。

图19是例示第2实施方式涉及的半导体存储装置的剖视图。