[发明专利]下降法定向生长氟化物晶体的方法及装置

摘要

一种定向生长氟化物晶体的装置和方法，采用下降法在真空条件下生长特定方向氟化物晶体时，在坩埚脖颈部的孔中安放有特定方向的籽晶，为确保在晶体生长初期籽晶熔化一部分，采用在坩埚脖颈外侧安装伞形反射屏的方法来保证籽晶下部不被熔化掉；采用非接触式光测高温计对籽晶的温度进行实时监控，确保籽晶的上部充分熔化，而下部保持不熔化状态，在此条件下才能够定向生长出单晶。本发明提出的加装伞形反射屏装置以及采用光测高温计在晶体生长最初阶段测量温度，可以有效地保证籽晶在生长特定方向氟化物单晶的最初阶段刚好熔化掉三分之一至一半，在继续生长的过程中，温度控制部分的传感器切换到热电偶来控温，直至晶体生长结束。

主权项

一种定向生长氟化物单晶的装置和方法，其特征在于：采用下降法生长特定方向氟化物晶体时，在坩埚下方颈部的孔中安放有特定方向的籽晶；在坩埚脖颈外侧，对应籽晶特定位置的地方安装伞形反射屏；采用光测高温计对籽晶内部的温度进行实时监控，光测高温计作为升温阶段测温传感器；在晶体生长的恒温时段内完成光测高温计和热电偶测温模式的切换，并以热电偶的测得温度为依据，完成晶体的生长和缓慢降温过程。