[发明专利]下降法定向生长氟化物晶体的方法及装置

权利要求书

1.一种定向生长氟化物单晶的装置和方法，其特征在于：采用下降法生长特定方向氟化物晶体时，在坩埚下方颈部的孔中安放有特定方向的籽晶；在坩埚脖颈外侧，对应籽晶特定位置的地方安装伞形反射屏；采用光测高温计对籽晶内部的温度进行实时监控，光测高温计作为升温阶段测温传感器；在晶体生长的恒温时段内完成光测高温计和热电偶测温模式的切换，并以热电偶的测得温度为依据，完成晶体的生长和缓慢降温过程。

2.根据权利要求1所述生长具有特定方向氟化物晶体的方法及装置，其特征在于：采用下降法生长特定方向氟化物晶体时，在坩埚下方颈部的孔中安放有特定方向的籽晶。

3.根据权利要求1或者2所述生长具有特定方向氟化物晶体的方法及装置，其特征在于：在坩埚底部安放的籽晶，在晶体生长的最初阶段，为使籽晶充分熔化，同时不完全熔化掉，采用在坩埚颈部外侧安装伞形反射屏，伞形反射屏顶部位置对应于坩埚颈部籽晶顶部向下，占籽晶总长度1/2至1/3的地方，伞形反射屏反射掉发热体向籽晶下部脖颈处的热辐射，使籽晶上部与下部具有一定的温度差。

4.根据权利要求1或者2或者3所述生长具有特定方向氟化物晶体的方法及装置，其特征在于：在坩埚底部安放的籽晶，在晶体生长的最初阶段，为使籽晶上半部分充分熔化，同时下半部分不熔化，采用光测高温计对籽晶底部的温度进行实时监控，严格控制籽晶底部温度保持在设定温度上，低于熔点5-20℃。

5.根据权利要求1或者2或者3或者4所述生长具有特定方向氟化物晶体的方法及装置，其特征在于：所采用的光测高温计对籽晶底部的温度进行实时测量，测量的温度信号作为升温阶段控制电路的温度输入。

6.根据权利要求1或者4或者5所述生长具有特定方向氟化物晶体的方法及装置，其特征在于：所采用的光测高温计对籽晶底部的温度进行实时监控，光测高温计安装在水冷下降杆的底部。

7.根据权利要求1或者4或者5或者6所述生长具有特定方向氟化物晶体的方法及装置，其特征在于：在晶体生长的恒温过程的最后阶段完成光测高温计和热电偶的切换。

8.根据权利要求1或者2或者3或者4或者5或者6所述生长具有特定方向氟化物晶体的方法及装置，其特征在于：在晶体生长阶段以热电偶的测得温度为依据，完成晶体的下降生长和缓慢降温过程。