[发明专利]用于制备热电材料的Cu3Sb1-xMxSe4纳米晶体及其合成方法

摘要

本发明公开的制备热电材料用的Cu₃Sb_1-xM_xSe₄纳米晶体，M=Sn或Bi，0＜x≤0.1，尺寸为20～50nm。合成步骤包括：将SeO₂加入到ODE中制得Se-ODE前驱体溶液；在二水氯化铜、氯化锑、二水氯化锡和十六胺或二水氯化铜、氯化锑、氯化铋和十六胺中加入ODE，制得Cu-Sb-Sn-ODE或Cu-Sb-Bi-ODE前驱体溶液；用注射器将Se-ODE前驱注入到Cu-Sb-Sn-ODE或Cu-Sb-Bi-ODE前驱体溶液中，加入油酸，然后与氯仿反应得到悬浮液，再加入异丙醇得到沉淀，离心获得。本发明合成工艺简单，过程耗能低。该纳米晶体用于制备热电材料，具有晶格热导率低，热电优值高等特点。

主权项

用于制备热电材料的Cu₃Sb_1‑xM_xSe₄纳米晶体，其特征是表达式Cu₃Sb_1‑xM_xSe₄中的M=Sn或Bi，0＜x≤0.1，所述纳米晶体尺寸为20～50nm。