[发明专利]用于制备热电材料的Cu3Sb1-xMxSe4纳米晶体及其合成方法有效
申请号: | 201410223565.6 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN104030255A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 樊先平;吴一民;乔旭升;万军;陈烁;程文煜 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C01B19/00 | 分类号: | C01B19/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 热电 材料 cu sub sb se 纳米 晶体 及其 合成 方法 | ||
1.用于制备热电材料的Cu3Sb1-xMxSe4纳米晶体,其特征是表达式Cu3Sb1-xMxSe4中的M=Sn或Bi,0<x≤0.1,所述纳米晶体尺寸为20~50nm。
2.实施如权利要求1所述的用于制备热电材料的Cu3Sb1-xMxSe4纳米晶体的合成方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将SeO2加入到ODE中,在Ar气流和磁力搅拌条件下,于160~200℃保温1~10小时,然后降至室温,得到0.1mol/L~2.0 mol/L Se-ODE前驱体溶液;
2)将二水氯化铜、氯化锑、二水氯化锡和十六胺按摩尔比为3:1~0.9:0.01~0.1:10~50或将二水氯化铜、氯化锑、氯化铋和十六胺按摩尔比为3:1~0.9:0.01~0.1:10~50置于三颈烧瓶,加入ODE,在Ar气流和磁力搅拌条件下,加热至200~240℃,使其充分溶解,然后降至160~190℃,保温至少30分钟,除去水分、氧气,得到0.01mol/L~0.5mol/L的Cu-Sb-Sn-ODE或Cu-Sb-Bi-ODE前驱体溶液;
3)在Ar气流和磁力搅拌条件下,用注射器将步骤1)的Se-ODE前驱体溶液,以10ml/s的速率注入到步骤2)的Cu-Sb-Sn-ODE或Cu-Sb-Bi-ODE前驱体溶液中,Se-ODE前驱体溶液与Cu-Sb-Sn-ODE或Cu-Sb-Bi-ODE前驱体溶液的体积比为1:2~1:6,保温0~3小时,然后在Ar气流保护下冷却至60~90℃,按每mmolCu-Sb-Sn-ODE或Cu-Sb-Bi-ODE加入1~15 ml油酸,继续冷却至室温;
4)将步骤3)所得反应溶液倒入盛有氯仿的烧杯,反应溶液与氯仿的体积比为3:1~1:1,超声震荡混合,离心,离心产物加入氯仿得到悬浮液,在超声条件下按与氯仿2:1比例加入异丙醇,得到沉淀,离心,获得Cu3Sb1-xMxSe4纳米晶体,M=Sn或Bi,0<x≤0.1。
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