[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201410200687.3 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103995408B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 薛静;邢红燕;陈雅娟;尹岩岩;崔子巍 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的阵列基板及其制造方法、显示装置。其中，阵列基板包括栅线、数据线以及形成在栅线和数据线限定的像素区域内的像素电极，还包括与像素电极连接的用于测试薄膜晶体管特性的测试端子。本发明的显示装置，包括本发明的阵列基板。本发明的阵列基板的制造方法包括在基板上形成第一像素电极以及与第一像素电极连接的用于测试薄膜晶体管特性的测试端子的图形。本发明的技术方案，对阵列基板进行整体优化，设置与像素电极连接的用于测试薄膜晶体管特性的测试端子，这样通过给上述测试端子加电信号可以对像素区域的TFT Character进行确认，第一时间对不良做出反应，保证了开发的顺利完成，提升开发效率同时减少开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括栅线、数据线以及形成在栅线和数据线限定的像素区域内的像素电极，其特征在于，还包括与所述像素电极连接的用于测试薄膜晶体管特性的测试端子。
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