[发明专利]具有不同深宽比的接触结构的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410200481.0 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105097766B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张万屹;林正伟;穆政昌;陈功益;王世青;翁玮呈 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有不同深宽比的接触结构的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一绝缘结构、一第一接触结构以及一第二接触结构。第一接触结构和第二接触结构形成于绝缘结构中。第一接触结构具有一第一深宽比并包括一第一金属材料。第二接触结构具有一第二深宽比，第一深宽比大于第二深宽比。第二接触结构包括第一金属材料及第二金属材料，第二金属材料形成于第一金属材料上。第一金属材料的致密度大于第二金属材料的致密度，第二金属材料的电阻小于第一金属材料的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 接触 结构 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一绝缘结构；一第一接触结构，形成于该绝缘结构中，具有一第一深宽比(aspect ratio)，该第一接触结构包括一第一金属材料；以及一第二接触结构，形成于该绝缘结构中，具有一第二深宽比，该第一深宽比大于该第二深宽比，该第二接触结构包括：该第一金属材料；及一第二金属材料，形成于该第一金属材料上；其中该第一金属材料的致密度大于该第二金属材料的致密度，该第二金属材料的电阻小于该第一金属材料的电阻，且该第一金属材料的上表面与该第二金属材料的上表面均齐平于该绝缘结构的上表面。
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