[发明专利]具有不同深宽比的接触结构的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一绝缘结构；

一第一接触结构，形成于该绝缘结构中，具有一第一深宽比(aspect ratio)，该第一接触结构包括一第一金属材料；以及

一第二接触结构，形成于该绝缘结构中，具有一第二深宽比，该第一深宽比大于该第二深宽比，该第二接触结构包括：

该第一金属材料；及

一第二金属材料，形成于该第一金属材料上；

其中该第一金属材料的致密度大于该第二金属材料的致密度，该第二金属材料的电阻小于该第一金属材料的电阻，且该第一金属材料的上表面与该第二金属材料的上表面均齐平于该绝缘结构的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一第一衬垫层，形成于该第一金属材料和该第二金属材料之间。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一导电层，形成于该绝缘结构中，其中该第一金属材料形成于该导电层上；以及

一第二衬垫层，形成于该第一金属材料和该导电层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一金属布线层，形成于该第一接触结构和该第二接触结构上。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一金属材料包括钨(W)，该第二金属材料包括铝、铜或铝铜合金的至少其中之一。

6.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成一绝缘结构；

形成一第一接触结构于该绝缘结构中，其中该第一接触结构具有一第一深宽比并包括一第一金属材料；以及

形成一第二接触结构于该绝缘结构中，其中该第二接触结构具有一第二深宽比，该第一深宽比大于该第二深宽比，形成该第二接触结构包括：

形成该第一金属材料于该绝缘结构中；及

形成一第二金属材料于该第一金属材料上；

其中该第一金属材料的致密度大于该第二金属材料的致密度，该第二金属材料的电阻小于该第一金属材料的电阻，且该第一金属材料的上表面与该第二金属材料的上表面均齐平于该绝缘结构的上表面。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，更包括：

形成一第一衬垫层于该第一金属材料和该第二金属材料之间。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，更包括：

形成一导电层于该绝缘结构中，其中该第一金属材料形成于该导电层上；以及

形成一第二衬垫层于该第一金属材料和该导电层之间。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，更包括：

形成一金属布线层于该第一接触结构和该第二接触结构上。

10.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中该第一金属材料包括钨，该第二金属材料包括铝、铜或铝铜合金的至少其中之一。