[发明专利]具有不同深宽比的接触结构的半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种具有不同深宽比的接触结构的半导体结构及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，各式半导体元件不断推陈出新。举例来说，存储器、晶体管、二极管等元件已广泛使用于各式电子装置中。

各式半导体装置中，电子元件经由互连接触结构而电性连接。在半导体技术的发展中，研究人员不断的进行各种类型的研发与改善，特别是在后段制作工艺中的接触结构的制作。因此，研究人员均致力于研究如何能够令半导体装置的电子元件能获得良好的电性连接以达到良好的特性。

发明内容

本发明内容是有关于一种半导体结构及其制造方法。实施例中，第一金属材料使得具有较大深宽比的第一接触结构能够具有较致密的结构，而具有较小电阻的第二金属材料搭配第一金属材料来形成第二接触结构可以有效降低第二接触结构的电阻。

根据本发明的一实施例，是提出一种半导体结构。半导体结构包括一绝缘结构、一第一接触结构以及一第二接触结构。第一接触结构和第二接触结构形成于绝缘结构中。第一接触结构具有一第一深宽比并包括一第一金属材料。第二接触结构具有一第二深宽比，第一深宽比大于第二深宽比。第二接触结构包括第一金属材料及第二金属材料，第二金属材料形成于第一金属材料上。第一金属材料的致密度大于第二金属材料的致密度，第二金属材料的电阻小于第一金属材料的电阻。

根据本发明的另一实施例，是提出一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。形成一绝缘结构；形成一第一接触结构于绝缘结构中，其中第一接触结构具有一第一深宽比并包括一第一金属材料；以及形成一第二接触结构于绝缘结构中，其中第二接触结构具有一第二深宽比，第一深宽比大于第二深宽比，形成第二接触结构包括以下步骤：形成第一金属材料于绝缘结构中及形成一第二金属材料于第一金属材料上；其中第一金属材料的致密度大于第二金属材料的致密度，第二金属材料的电阻小于第一金属材料的电阻。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明的一实施例的半导体结构的剖面示意图。

图2绘示依照本发明的另一实施例的半导体结构的剖面示意图。

图3绘示依照本发明的又一实施例的半导体结构的剖面示意图。

图4绘示依照本发明的再一实施例的半导体结构的剖面示意图。

图5绘示依照本发明的更一实施例的半导体结构的剖面示意图。

图6绘示依照本发明的更另一实施例的半导体结构的剖面示意图。

图7A～图7F绘示依照本发明的一实施例的半导体结构的制造方法的流程图。

【符号说明】

100、200、300、400、500、600：半导体结构

110：绝缘结构

110a、140a：表面

120：第一接触结构

120a、130a：贯孔

121：第一金属材料

130：第二接触结构

131：第二金属材料

140：导电层

140-1、140-2：部分

150：第一衬垫层

160：第二衬垫层

170：金属布线层

720：第一金属材料层

730：第二金属材料层

750：第一衬垫材料层

D：深度

T1、T2、T3：厚度

W1、W2、W3、W4：宽度

具体实施方式

在本发明的实施例中，是提出一种半导体结构及其制造方法。实施例中，第一金属材料使得具有较大深宽比的第一接触结构能够具有较致密的结构，而具有较小电阻的第二金属材料搭配第一金属材料来形成第二接触结构可以有效降低第二接触结构的电阻。然而，实施例仅用以作为范例说明，并不会限缩本发明欲保护的范围。并且，本发明内容中的一个实施例中所绘示或描述的部分内容可以用于其他实施例或与其他实施例结合而衍生出更进一步的实施例。此外，实施例中的图式是省略部份要的元件，以清楚显示本发明的技术特点。