[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供表面具有鳍部的衬底，衬底表面和鳍部的部分侧壁表面具有介质层，介质层表面低于鳍部的顶部表面；采用沉积工艺在介质层表面、鳍部的侧壁和底部表面形成第一保护层，第一保护层的密度大于氧化硅的密度；采用氧化工艺在第一保护层表面形成第二保护层；在第二保护层表面形成掩膜层，掩膜层暴露出部分鳍部表面的第二保护层，第二保护层用于隔离第一保护层和掩膜层；以掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在鳍部内掺杂离子；在离子注入工艺之后，去除掩膜层、第二保护层和第一保护层，并暴露出介质层表面、以及鳍部的部分侧壁和底部表面。所形成的半导体结构形貌良好、特征尺寸精确均一。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述衬底表面和鳍部的部分侧壁表面具有介质层，所述介质层表面低于鳍部的顶部表面；采用沉积工艺在介质层表面、鳍部的侧壁和底部表面形成第一保护层，所述第一保护层的硬度大于氧化硅的硬度；采用氧化工艺在所述第一保护层表面形成第二保护层；在第二保护层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分鳍部表面的第二保护层，所述第二保护层用于隔离所述第一保护层和掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在鳍部内掺杂离子；在所述离子注入工艺之后，去除所述掩膜层、第二保护层和第一保护层，并暴露出介质层表面、以及鳍部的部分侧壁和底部表面。