[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述衬底表面和鳍部的部分侧壁表面具有介质层，所述介质层表面低于鳍部的顶部表面；

采用沉积工艺在介质层表面、鳍部的侧壁和底部表面形成第一保护层，所述第一保护层的硬度大于氧化硅的硬度；

采用氧化工艺在所述第一保护层表面形成第二保护层；

在第二保护层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分鳍部表面的第二保护层，所述第二保护层用于隔离所述第一保护层和掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在鳍部内掺杂离子；

在所述离子注入工艺之后，去除所述掩膜层、第二保护层和第一保护层，并暴露出介质层表面、以及鳍部的部分侧壁和底部表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一保护层之前，采用沉积工艺在介质层表面、鳍部的侧壁和底部表面形成第三保护层，所述第一保护层形成于所述第三保护层表面，所述第三保护层用于粘接第一保护层与鳍部。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三保护层的材料为氧化硅，形成工艺为原子层沉积工艺。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述第一保护层之后，去除所述第三保护层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第三保护层的工艺为远端等离子体化学干法刻蚀工艺，工艺参数包括：刻蚀气体包括NF₃和NH₃，NF₃与NH₃的流量比为1:20～5:1，刻蚀温度为40摄氏度～80摄氏度，压强为0.5托～50托，功率小于100瓦，频率小于100千赫兹。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为氮化硅、碳化硅或氮氧化硅，所述第一保护层的形成工艺为原子层沉积工艺。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第一保护层的材料为氮化硅时，所述第二保护层的材料为氮氧化硅；当所述第一保护层的材料为碳化硅时，所述第二保护层的材料为氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶，所述掩膜层的形成工艺包括：在第二保护层表面形成光刻胶膜；使所述光刻胶膜图形化，形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露出部分鳍部表面的第二保护层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述掩膜层、第二保护层和第一保护层的工艺包括：去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层之后，去除所述第二保护层；在去除所述第二保护层之后，去除所述第一保护层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除第一保护层和第二保护层的工艺为湿法刻蚀工艺。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为氮化硅，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液为磷酸溶液，所述磷酸溶液的质量百分比浓度小于50％。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的材料为氮氧化硅，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液为磷酸溶液和氢氟酸溶液，在所述氢氟酸溶液中，水和氢氟酸的体积比为50:1～100:1，所述磷酸溶液的质量百分比浓度小于50％。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在鳍部内掺杂的离子为P型离子或N型离子。