[发明专利]一种LTPS工艺

摘要

本发明的一种LTPS工艺，相对于传统工艺，包含以下步骤：根据晶体管类型在其源极或漏极掺杂P-或B+；S7、熔炉热处理以激活掺杂的杂质；S8、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚的氧化物的图案，用以形成栅极金属层等。有益效果在于，与背景技术中的LTPS工艺相比，降低成本的同时提高了生产性。省掉步骤“利用PECVD蒸镀厚度为的防止阳极和金属布线短路的钝化绝缘膜，通过光刻蚀刻形成阳极接触的接触孔图案”。将蒸镀>光刻>蚀刻以及PR工序简化为掩膜板制作工序，能够缩短制作TFT阵列组的时间，减少生产成本。本发明不只适用MIC，也适用MILC或MICC等结晶化法不同的情况。

主权项

一种LTPS工艺，包括步骤：S1、在玻璃基板上以PECVD方式蒸镀阻止杂质渗透的厚为的缓冲氧化层；S2、利用PECVD或LPCVD，蒸镀厚度为的单晶硅来作为晶体管的源极和漏极；S3、采用ALD设备以原子单位蒸镀Ni或溅射数十的Ni用以完成硅结晶化；S4、采用熔炉在约600℃的条件下经过一小时硅结晶化形成多晶硅；S5、利用光刻蚀刻工序形成TFT的源极和漏极图案；其特征在于，还包括步骤：S6、根据晶体管类型在其源极或漏极掺杂P‑或B+；S7、熔炉热处理以激活掺杂的杂质；S8、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚的氧化物的图案，用以形成栅极金属层；S9、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为的金属图案，用以形成栅极金属层、扫描线和电容；S10、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为氧化物图案，用以形成电容的电介质，并防止栅极金属层的短路；S11、选择能与硅粘接的金属，利用掩模板蒸镀形成电源线源极、漏极金属层和电容图案，蒸镀厚度为S12、利用掩模板蒸镀厚为的阳极电极；S13、通过光刻蚀刻利用丙烯酸的PR做为保护除发光区域以外的区域的保护层图案。