[发明专利]一种LTPS工艺

说明书

技术领域

本发明属于OLED平面显示面板工艺技术领域，具体涉及一种LTPS工艺。

背景技术

在平板显示技术中，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗和耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术。主动式OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)也称为有源矩阵OLED，AMOLED因通过在每个像素中集成薄膜晶体管(TFT)和电容器并由电容器维持电压的方法进行驱动，因而可以实现大尺寸、高分辨率面板，是当前研究的重点及未来显示技术的发展方向。

在现有的低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)制作工艺中，薄膜场效应晶体管(TFT，Thin Film Transistor)制作的主要步骤是在蒸镀材料之后，通过循环光刻蚀刻形成图案，最后PR脱膜。主要步骤包括：1、在玻璃基板(经600℃热处理)上以PECVD方式蒸镀阻止杂质渗透的厚为的缓冲氧化层；2、利用PECVD或LPCVD，蒸镀厚度为的单晶硅(a-Si)来作为晶体管(Transistor)的源极和漏极；3、为了完成LTPS非激光(Non laser)方式的硅结晶化，采用ALD设备以原子单位蒸镀Ni或溅射数十的Ni；4、采用熔炉(Furnace)在约600℃的条件下经过一小时硅结晶化形成多晶硅；5、利用光刻蚀刻工序形成TFT的源极和漏极图案(source/Drain patterning)；6、用PECVD制作晶体管(Transistor)的栅极绝缘层(Gate insulator)，厚度范围为7、通过溅射蒸镀厚度为的栅极金属层(Gate Metal)，可以通过筛选实验选择特性好、便宜的Gate Metal的金属材料，然后利用光刻蚀刻形成栅极金属层(Gate Metal)图形；8、根据晶体管的类型，用离子注入机(Ion implanter)进行数秒到数分钟的B+或P-离子注入；9、为激活经过掺杂的杂质，在450℃的熔炉里进行30分钟的活化作用；10、为保护晶体管和防止金属布线的短路，在PECVD设备里蒸镀的ILD(Inter Layer Dielectrics)，然后再经过光刻蚀刻工序制作布线接触用的接触孔(hole)图案；11、利用溅射蒸镀厚度为1500～2000的金属(通过实验选择特性好的金属材料)，通过光刻蚀刻工序形成源极和漏极金属图案以及金属布线图形；12、利用PECVD蒸镀厚度为的防止阳极和金属布线短路的钝化绝缘膜，通过光刻蚀刻形成阳极接触的接触孔图案；13、用溅射蒸镀厚为的透明金属ITO(功函数约4.8)，通过光刻蚀刻形成阳极图案；14、光刻蚀刻利用丙烯酸系列(acrylic affiliation)的PR做为保护发光领域以外的部分的图形。

此种工艺的缺陷是工序复杂和制作时间较长，并且可能成为不良率增加的原因，使良率下降。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有的LTPS工艺工序复杂、制作时间长以及工艺会影响产品制作良率的不足，通过掩模板使循环反复的TFT制程的制作方法简单化，提出了一种LTPS工艺。

本发明的技术方案为：一种LTPS工艺，包括步骤：

S1、在玻璃基板上以PECVD方式蒸镀阻止杂质渗透的厚为的缓冲氧化层；

S2、利用PECVD或LPCVD，蒸镀厚度为的单晶硅来作为晶体管的源极和漏极；

S3、采用ALD设备以原子单位蒸镀Ni或溅射数十的Ni用以完成硅结晶化；

S4、采用熔炉在约600℃的条件下经过一小时硅结晶化形成多晶硅；

S5、利用光刻蚀刻工序形成TFT的源极和漏极图案；

其特征在于，还包括步骤：

S6、根据晶体管类型在其源极或漏极掺杂P-或B+；

S7、熔炉热处理以激活掺杂的杂质；

S8、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚的氧化物的图案，用以形成栅极金属层；

S9、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为的金属图案，用以形成栅极金属层、扫描线和电容；

S10、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为氧化物图案，用以形成电容的电介质，并防止栅极金属层的短路；

S11、选择能与硅粘接的金属，利用掩模板蒸镀形成电源线源极、漏极金属层和电容图案，蒸镀厚度为

S12、利用掩模板蒸镀厚为的阳极电极；