[发明专利]一种LTPS工艺

权利要求书

1.一种LTPS工艺，包括步骤：

S1、在玻璃基板上以PECVD方式蒸镀阻止杂质渗透的厚为的缓冲氧化层；

S2、利用PECVD或LPCVD，蒸镀厚度为的单晶硅来作为晶体管的源极和漏极；

S3、采用ALD设备以原子单位蒸镀Ni或溅射数十的Ni用以完成硅结晶化；

S4、采用熔炉在约600℃的条件下经过一小时硅结晶化形成多晶硅；

S5、利用光刻蚀刻工序形成TFT的源极和漏极图案；

其特征在于，还包括步骤：

S6、根据晶体管类型在其源极或漏极掺杂P-或B+；

S7、熔炉热处理以激活掺杂的杂质；

S8、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚的氧化物的图案，用以形成栅极金属层；

S9、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为的金属图案，用以形成栅极金属层、扫描线和电容；

S10、使用电子束蒸发器和掩模板蒸镀厚度为氧化物图案，用以形成电容的电介质，并防止栅极金属层的短路；

S11、选择能与硅粘接的金属，利用掩模板蒸镀形成电源线源极、漏极金属层和电容图案，蒸镀厚度为

S12、利用掩模板蒸镀厚为的阳极电极；

S13、通过光刻蚀刻利用丙烯酸的PR做为保护除发光区域以外的区域的保护层图案。

2.根据权利要求1所述的一种LTPS工艺，其特征在于，步骤S6具体为：蚀刻形成半导体掩膜板，根据晶体管性质分别注入数秒至数分钟的杂质离子P-或B+，然后将PR脱膜。

3.根据权利要求1所述的一种LTPS工艺，其特征在于，步骤S7的处理温度及时间为：熔炉内部环境温度为450℃，处理时间为30分钟。