[发明专利]金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，属于太阳能电池技术领域，其包括如下步骤：1）将P型多晶硅片进行预清洗去除损伤层得到去除损伤层后的硅片；2）将去除损伤后的硅片放置在制绒装置反应室干法制绒；3）在干法制绒后的硅片表面进行磷源扩散，得到磷源扩散后的硅片；4）将磷源扩散后的硅片进行湿法刻蚀，然后在其正表面PECVD沉积SiNx薄膜，得到沉积后的硅片；5）在沉积后的硅片背面分别印刷银浆、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，得到电池成品。该制作方法，提高了短波响应，提高了太阳能电池转换效率，适用范围广，电池形貌效果好，太阳能转换效率高。

主权项

金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：1）将P型多晶硅片进行预清洗，表面用HNO₃与HF混合溶液去除损伤层得到去除损伤层后的硅片；2）将去除损伤后的硅片放置在制绒装置反应室，通入气体SF₆与O₂进行干法制绒，时间为10min，得到干法制绒后的硅片；3）在干法制绒后的硅片表面进行磷源扩散，采用POCl₃液态磷扩散源制备P‑N结，扩散温度830℃，时间为80min，方块电阻为60~90ohm，得到磷源扩散后的硅片；4）将磷源扩散后的硅片进行湿法刻蚀，然后在其正表面PECVD沉积SiNx薄膜，得到沉积后的硅片；5）在沉积后的硅片背面分别印刷银浆、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，得到电池成品。