[发明专利]金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法

权利要求书

1.金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）将P型多晶硅片进行预清洗，表面用HNO₃与HF混合溶液去除损伤层得到去除损伤层后的硅片；

2）将去除损伤后的硅片放置在制绒装置反应室，通入气体SF₆与O₂进行干法制绒，时间为10min，得到干法制绒后的硅片；

3）在干法制绒后的硅片表面进行磷源扩散，采用POCl₃液态磷扩散源制备P-N结，扩散温度830℃，时间为80min，方块电阻为60~90ohm，得到磷源扩散后的硅片；

4）将磷源扩散后的硅片进行湿法刻蚀，然后在其正表面PECVD沉积SiNx薄膜，得到沉积后的硅片；

5）在沉积后的硅片背面分别印刷银浆、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，得到电池成品。

2.根据权利要求1金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，其特征在于：步骤1）中，所述的去除损伤层的厚度为2.5~4μm。

3.根据权利要求1金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，其特征在于：步骤2）中，RIE干法制绒后的硅片的反射率为5~15%。

4.根据权利要求1金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，其特征在于：步骤4）中， 所述SiNx减反射膜厚度控制在70~90nm，反射率控制在0.5%~3%，折射率控制在1.9~2.3。

5.根据权利要求1~4中任意一项所述的金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，其特征在于：所述的P型多晶硅片的电阻率为1~3Ω·cm。