[发明专利]喷嘴位置的检测方法及检测晶圆有效

专利信息
申请号: 201410193183.3 申请日: 2014-05-08
公开(公告)号: CN105097581B 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 易旭东 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种喷嘴位置的检测方法和检测晶圆,包括:提供一基底;对所述基底进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形,所述检测图形包括多个周期型排列的正方形的子图形;通过一清洗设备对所述基底进行清洗;对清洗后的基底进行缺陷检测以确认所述清洗设备的喷嘴是否位于中心位置。在本发明提供的喷嘴位置的检测方法中,通过在所述基底上形成特定的检测图形,并采用特定的清洗条件对所述基底进行清洗,使得清洗设备的喷嘴位置对准所述基底的中心位置时所述基底上能够形成特定形状的缺陷,从而根据所述基底上是否出现该缺陷就能够判断喷嘴是否对准所述基底的中心位置。
搜索关键词: 喷嘴 位置 检测 方法
【主权项】:
1.一种喷嘴位置的检测方法,其特征在于,包括:提供一基底;对所述基底进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形,所述检测图形包括由阻挡图形区域和参考图形区域构成的多个周期型排列的正方形的子图形,所述阻挡图形区域在清洗过程中会阻挡去离子水的流动而影响显影残留物的清洗效果,所述参考图形区域在清洗过程中不会阻挡去离子水的流动而影响显影残留物的清洗效果;将一清洗设备的喷嘴对准所述基底并喷射去离子水,以对所述基底进行清洗;对清洗后的基底进行缺陷检测以确认所述清洗设备的喷嘴是否位于中心位置;当所述清洗设备的喷嘴位于中心位置时,所述基底上有4条线形缺陷,且所述4条线形缺陷位于所述检测图形的对角线上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410193183.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top