[发明专利]喷嘴位置的检测方法及检测晶圆

说明书

本发明提供了一种喷嘴位置的检测方法和检测晶圆，包括：提供一基底；对所述基底进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形，所述检测图形包括多个周期型排列的正方形的子图形；通过一清洗设备对所述基底进行清洗；对清洗后的基底进行缺陷检测以确认所述清洗设备的喷嘴是否位于中心位置。在本发明提供的喷嘴位置的检测方法中，通过在所述基底上形成特定的检测图形，并采用特定的清洗条件对所述基底进行清洗，使得清洗设备的喷嘴位置对准所述基底的中心位置时所述基底上能够形成特定形状的缺陷，从而根据所述基底上是否出现该缺陷就能够判断喷嘴是否对准所述基底的中心位置。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种喷嘴位置的检测方法及检测晶圆。

背景技术

光刻是将掩模板(mask)上图形形式的结构通过曝光、显影等步骤转印到涂有光刻胶(Photo resister，简称PR)的硅片表面的工艺过程，光刻工艺会在硅片表面形成一层光刻胶掩蔽图形。其中，显影步骤是通过显影液与曝光后的光刻胶发生化学反应，从而在光刻胶中产生三维的物理图像。化学反应会产生光刻胶等显影残留物，所述显影残留物会造成缺陷，因此在显影之后通常采用去离子水(DI water)对硅片进行清洗以去除显影残留物。

请参考图1，其为现有技术的清洗设备对显影后的硅片进行清洗的结构示意图。如图1所示，进行清洗时硅片10置于清洗设备的真空吸盘11上并以一定的速度进行旋转，在旋转过程中去离子水12通过清洗设备的喷嘴13喷射到所述硅片10的表面，并从所述硅片10的中心向边缘方向流动，从而去除所述硅片10表面的显影残留物。为了保证清洗效果，所述喷嘴13需要对准硅片10的中心位置，即圆心。

然而，在实际制造过程中发现，所述喷嘴13的位置会经常偏离所述硅片10的中心位置，使得显影残留物无法清除干净而造成缺陷。为此，目前采用基底(control wafer)定期检测清洗设备的喷嘴13与所述硅片10的对位情况。这种检测方式需要使清洗设备暂停工作，工作人员打开清洗设备并确认喷嘴13的位置是否对准所述基底的中心位置，确认完毕之后才能使清洗设备重新开始工作。通常，在上述过程中，为了确认喷嘴13的位置是否对准所述基底的中心位置，需要使清洗设备暂停工作半个小时以上，在浪费清洗设备工作时间的同时，也会影响光刻工艺的效率，提高制造成本。而且，这种检测方式完全是采用人工检测，受工作人员自身生理因素的限制、主观性强、易受外界干扰，因此并不准确。

发明内容

本发明的目的在于提供一种喷嘴位置的检测晶圆及检测方法，以解决现有技术中喷嘴位置的检测方法不精确，而且会影响正常生产的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种喷嘴位置的检测方法，所述喷嘴位置的检测方法包括：

提供一基底；

对所述基底进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形，所述检测图形包括多个周期型排列的正方形的子图形；

通过一清洗设备对所述基底进行清洗；

对清洗后的基底进行缺陷检测以确认所述清洗设备的喷嘴是否位于中心位置提。

优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述检测图形为中心对称图形，所述检测图形的中心点与所述基底的圆心重合。

优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述检测图形的中心点位于平面坐标轴的原点，所述检测图形的对角线经过所述中心点并与平面坐标轴形成45°夹角。

优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述子图形包括至少一个块状图形组和至少一个直线图形组，所述块状图形组与所述直线图形组相互平行。

优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述块状图形的宽度大于50微米，所述直线图形的宽度小于1微米。