[发明专利]喷嘴位置的检测方法及检测晶圆有效
| 申请号: | 201410193183.3 | 申请日: | 2014-05-08 |
| 公开(公告)号: | CN105097581B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
| 发明(设计)人: | 易旭东 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 喷嘴 位置 检测 方法 | ||
1.一种喷嘴位置的检测方法,其特征在于,包括:
提供一基底;
对所述基底进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形,所述检测图形包括由阻挡图形区域和参考图形区域构成的多个周期型排列的正方形的子图形,所述阻挡图形区域在清洗过程中会阻挡去离子水的流动而影响显影残留物的清洗效果,所述参考图形区域在清洗过程中不会阻挡去离子水的流动而影响显影残留物的清洗效果;
将一清洗设备的喷嘴对准所述基底并喷射去离子水,以对所述基底进行清洗;
对清洗后的基底进行缺陷检测以确认所述清洗设备的喷嘴是否位于中心位置;
当所述清洗设备的喷嘴位于中心位置时,所述基底上有4条线形缺陷,且所述4条线形缺陷位于所述检测图形的对角线上。
2.如权利要求1所述的喷嘴位置的检测方法,其特征在于,所述检测图形为中心对称图形,所述检测图形的中心点与所述基底的圆心重合。
3.如权利要求2所述的喷嘴位置的检测方法,其特征在于,所述检测图形的中心点位于平面坐标轴的原点,所述检测图形的对角线经过所述中心点并与平面坐标轴形成45°夹角。
4.如权利要求1所述的喷嘴位置的检测方法,其特征在于,所述子图形包括至少一个块状图形组和至少一个直线图形组,所述块状图形组与所述直线图形组相互平行。
5.如权利要求4所述的喷嘴位置的检测方法,其特征在于,所述块状图形组中的块状图形的宽度大于50微米,所述直线图形组中直线图形的宽度小于1微米。
6.如权利要求4所述的喷嘴位置的检测方法,其特征在于,所述块状图形组中块状图形的宽度与块状图形的间距的比例范围在10:1到100:1之间,所述直线图形组中直线图形的宽度与直线图形的间距的比例范围在1:2到2:1之间。
7.如权利要求6所述的喷嘴位置的检测方法,其特征在于,所述块状图形组中块状图形的宽度与块状图形的间距比为50:1,所述直线图形组中直线图形的宽度与直线图形的间距比为1:1。
8.如权利要求1所述的喷嘴位置的检测方法,其特征在于,所述清洗设备对所述基底进行清洗时采用临界条件,在所述临界条件下只保留部分显影残留物。
9.一种用于检测喷嘴位置的晶圆,其特征在于,包括:基底以及通过涂胶、曝光和显影工艺形成于所述基底上的检测图形,所述检测图形包括多个由阻挡图形区域和参考图形区域构成的周期型排列的正方形的子图形,所述阻挡图形区域在清洗过程中会阻挡去离子水的流动而影响显影残留物的清洗效果,所述参考图形区域在清洗过程中不会阻挡去离子水的流动而影响显影残留物的清洗效果。
10.如权利要求9所述的用于检测喷嘴位置的晶圆,其特征在于,所述检测图形为中心对称图形,所述检测图形的中心点与所述基底的圆心重合。
11.如权利要求9所述的用于检测喷嘴位置的晶圆,其特征在于,所述检测图形的中心点位于平面坐标轴的原点,所述检测图形的对角线经过所述中心点并与平面坐标轴形成45°夹角。
12.如权利要求9所述的用于检测喷嘴位置的晶圆,其特征在于,所述子图形包括至少一个块状图形组和至少一个直线图形组,所述块状图形组与所述直线图形组相互平行。
13.如权利要求12所述的用于检测喷嘴位置的晶圆,其特征在于,所述块状图形组中的块状图形的宽度大于50微米,所述直线图形组中直线图形的宽度小于1微米。
14.如权利要求12所述的用于检测喷嘴位置的晶圆,其特征在于,所述块状图形组中块状图形的宽度与块状图形的间距的比例范围在10:1到100:1之间,所述直线图形组中直线图形的宽度与直线图形的间距的比例范围在1:2到2:1之间。
15.如权利要求14所述的用于检测喷嘴位置的晶圆,其特征在于,所述块状图形组中块状图形的宽度与块状图形的间距比为50:1,所述直线图形组中直线图形的宽度与直线图形的间距比为1:1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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