[发明专利]一种紫外发光二极管器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件制备方法中，pn结台面的材料均为AlxGa1‑xN材料，其中0≤x≤1，且有源区中Al组分最低，即整个发光二极管pn结台面结构对有源区发出的光是透明的。因此本发明的紫外发光二极管结构解决了p型GaN层吸收紫外光的问题，可以有效提高紫外发光二极管的发光效率。

主权项

一种紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤A：在基底(301)上生长紫外发光二极管外延结构，该紫外发光二极管外延结构自下而上包括AlN缓冲层(302)、p型AlGaN层(303)、AlGaN电子阻挡层(304)、AlGaN有源区(305)、n型AlGaN层(306)；步骤B：从所述n型AlGaN层(306)顶部开始，在预设区域进行刻蚀，刻蚀至所述p型AlGaN层(303)，从而在刻蚀区域形成p型AlGaN表面(308)，而在刻蚀区域之外的所述p型AlGaN层(303)上形成pn结台面结构(307)；步骤C：在所述p型AlGaN表面(308)和pn结台面结构(307)的表面沉积介质层(309)，并在p型AlGaN表面(308)上形成贯穿所述介质层(309)的通孔(310)；步骤D：在所述p型AlGaN表面(308)上，利用所述介质层(309)做掩膜，在所述通孔(310)内生长p型电极接触层(311)；步骤E：去掉全部的介质层(309)；步骤F：在发光二极管pn结台面结构(307)上的n型AlGaN电极接触表面，定义出n型电极图形，在该n型电极图形区域形成n型接触电极(312)；步骤G：在p型电极接触层(311)表面定义出p型电极图形，在该p型电极图形区域形成p型接触电极(313)；步骤H：在器件上表面整体上沉积电绝缘层(314)，在该电绝缘层(314)中，所述n型接触电极(312)和p型接触电极(313)的上方，分别形成电极窗口区；以及步骤I：在电极窗口区(315)，形成电极层(316)，完成紫外发光二极管器件的制作；其中，所述p型AlGaN层(303)、AlGaN电子阻挡层(304)、AlGaN有源区(305)和n型AlGaN层(306)均为AlxGa1‑xN基材料，0≤X≤1，且AlGaN有源区(305)中Al的组分比p型AlGaN层(303)、n型AlGaN层(306)和AlGaN电子阻挡层(304)的Al组分均要低。