[发明专利]一种紫外发光二极管器件的制备方法

权利要求书

1.一种紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A：在基底(301)上生长紫外发光二极管外延结构，该紫外发光二极管外延结构自下而上包括AlN缓冲层(302)、p型AlGaN层(303)、AlGaN电子阻挡层(304)、AlGaN有源区(305)、n型AlGaN层(306)；

步骤B：从所述n型AlGaN层(306)顶部开始，在预设区域进行刻蚀，刻蚀至所述p型AlGaN层(303)，从而在刻蚀区域形成p型AlGaN表面(308)，而在刻蚀区域之外的所述n型AlGaN层306上形成pn结台面结构(307)；

步骤C：在所述p型AlGaN表面308和pn结台面结构307的表面沉积介质层(309)，并在pn结台面结构307上形成贯穿所述介质层(309)的通孔(310)；

步骤D：在所述p型AlGaN表面(308)上，利用所述介质层(309)做掩膜，在所述通孔(310)内生长p型电极接触层(311)；

步骤E：去掉全部的介质层(309)；

步骤F：在发光二极管pn结台面(307)上的n型AlGaN电极接触表面，定义出n型电极图形，在该n型电极图形区域形成n型接触电极(312)；

步骤G：在p型电极接触层(311)表面定义出p型电极图形，在该p型电极图形区域形成p型接触电极(313)；

步骤H：在器件上表面整体上沉积电绝缘层(314)，在该电绝缘层(314)中，所述n型接触电极(312)和p型接触电极(313)的上方，分别形成电极窗口区；以及

步骤I：在电极窗口区(315)，形成电极层316，完成紫外发光二极管器件的制作。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述pn结台面结构(307)包含p型AlGaN层303上面的各层-A1GaN电子阻挡层304、AlGaN有源区305、n型AlGaN层306，就其总体而言，该pn结台面结构307的材料为Al_xGa_1-xN基材料，其中0≤X≤1。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，p型AlGaN层(303)、n型AlGaN层(306)、AlGaN电子阻挡层(304)和AlGaN有源区(305)均为Al_xGa_1-xN基材料，0≤X≤1，其中：

p型AlGaN层(303)的材料为p型掺杂的Al_xGa_1-xN材料；

n型AlGaN层(306)的材料为n型掺杂的Al_xGa_1-xN材料；

AlGaN电子阻挡层(304)中Al的组分比AlGaN有源区(305)的Al组分要高；

AlGaN有源区(305)中Al的组分比p型AlGaN层(303)、n型AlGaN层(306)和AlGaN电子阻挡层(304)的Al组分均要低。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述p型电极接触层(311)的材料为In_xGa_1-xN材料，0≤x≤1；

所述介质层(309)的材料为In_xGa_1-xN材料不易在其上生长的材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述介质层(309)的材料为氧化硅或氮化硅。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电绝缘层(314)的材料为氧化硅或氮化硅。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述电绝缘层(314)的厚度介于1nm-1000nm之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述基底(301)的材料为蓝宝石、SiC、AlN或Si。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述紫外发光二极管器件的发光波长介于210nm-365nm之间。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述紫外发光二极管器件为单体器件或阵列式紫外发光二极管。