[发明专利]基于填充结构、含补偿层的补偿结构的超级结半导体器件有效
| 申请号： | 201410179436.1 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104134684B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | S.加梅里特;F.希尔勒;H.韦伯;A.维尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张涛,胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种基于填充结构、含补偿层的补偿结构的超级结半导体器件。超级结半导体器件包括在从单元区域中的基底区段突出的各台面区之间的条带结构。每个条带结构包括具有在填充结构的相对的侧上倒转地提供的第一区段和第二区段的补偿结构。每个区段包括第一导电类型的第一补偿层和互补的第二导电类型的第二补偿层。所述条带结构延伸到单元区域周围的边缘区域中。所述条带结构在边缘区域中包括端部区段。可以修改所述端部区段以增强击穿电压特性、雪崩耐量和换相行为。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 填充 结构 补偿 超级 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种超级结半导体器件，包括：半导体部分，包括在从单元区域中的基底区段突出的各台面区之间的条带结构，每个条带结构包括包含在填充结构的相对的侧上倒转地提供的第一区段和第二区段的补偿结构，每个区段包括第一导电类型的第一补偿层和互补的第二导电类型的第二补偿层，其中，所述条带结构在横向方向上延伸到单元区域周围的边缘区域中，所述条带结构在边缘区域中包括具有终止部分的端部区段；所述终止部分在具有第一导电类型的第一补偿层的区段中具有作为第二补偿层的导电类型的第二导电类型的注入区带。
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