[发明专利]基于填充结构、含补偿层的补偿结构的超级结半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种超级结结构半导体器件，特别是涉及一种基于填充结构和包括补偿层的补偿结构的超级结结构半导体器件。

背景技术

基于沟槽概念的超级结器件的超级结结构可以包括在平行于在超级结器件的导通状态下在一种类型的互补掺杂层中流动的接通状态或前向电流的流动方向的物质中延伸的两对或更多对互补掺杂补偿层。在反向阻断模式下，互补掺杂层对被耗尽，以使得器件能够甚至在承载接通状态或前向电流的掺杂层中的相当高的杂质浓度下适配高的反向击穿电压。想要改进超级结半导体器件的可靠性。

发明内容

根据实施例，一种超级结半导体器件的半导体部分，包括在从单元区域中的基底区段突出的各台面区之间的条带结构。每个条带结构包括具有在填充结构的相对的侧上倒转地提供的第一区段和第二区段的补偿结构。每个区段包括第一导电类型的第一补偿层和互补的第二导电类型的第二补偿层。条带结构延伸到单元区域周围的边缘区域中。在边缘区域中条带结构包括端部区段。

根据另一实施例，一种超级结半导体器件的半导体部分，包括在从基底区段突出的各台面区之间的条带结构。每个条带结构包括具有在填充结构的相对侧上倒转地提供的第一区段和第二区段的补偿结构。每个区段包括第一导电类型的第一补偿层和互补的第二导电类型的第二补偿层。条带结构是闭合环路。

在阅读下面的详细描述并且查看随附的附图时，本领域技术人员将认识到附加的特征和优点。

附图说明

随附的附图被包括以提供本发明的进一步理解，并且附图被合并到本说明书中并构成本说明书的一部分。附图图解本发明的实施例，并且连同描述一起用来解释本发明的原理。随着参照下面的详细描述而变得更好地理解本发明的其它实施例以及意图有的优点，将容易地领会这些实施例和优点。

图1A是依照实施例的提供延伸到边缘区域中的条带结构的超级结半导体器件的一部分示意性横截面视图。

图1B是示出图1A的超级结半导体器件的竖向电场分布的示意性图。

图1C示出图1A的半导体器件在与半导体部分的第一表面平行的平面上的示意性平面横截面视图。

图2A是根据实施例的提供具有由台面区分段的端部区段的条带结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图2B是根据实施例的提供具有由辅助条带结构分段的端部区段的条带结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图3A是依照实施例的提供不同长度的条带结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图3B是依照实施例的提供具有圆形杂质结构的边缘区域的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图3C是根据实施例的提供连接到最外部条带结构的正交辅助条带结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图3D是根据实施例的提供与最外部条带结构分离的正交辅助条带结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图3E是根据实施例的在边缘区域中提供不同长度的条带结构以及圆形杂质结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图4A是依照实施例的在边缘区域中提供具有变化的宽度的条带结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图4B是依照实施例的提供具有沿着竖向方向变化的尺寸的条带结构的超级结半导体器件的部分的示意性平面横截面视图。

图5A是根据实施例的提供形成环路的条带结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图5B是根据实施例的提供形成连续结构的条带结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图6是依照实施例的在条带结构的终止部分中提供补偿度的校正的基于条带结构的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图7A是根据实施例的提供利用注入区带的校正的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图7B是根据实施例的提供利用矩形终止部分的校正的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图7C是根据实施例的提供利用圆形终止部分的校正的示意性平面横截面视图。

图7D是根据实施例的提供利用尖状终止部分的校正的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。

图8是根据实施例的在单元区域的第一部分中提供第一标称击穿电压并且在单元区域的第二部分中提供第二标称击穿电压的超级结半导体器件的示意性平面横截面视图。