[发明专利]基于填充结构、含补偿层的补偿结构的超级结半导体器件

权利要求书

1.一种超级结半导体器件，包括：

半导体部分，包括在从单元区域中的基底区段突出的各台面区之间的条带结构，每个条带结构包括包含在填充结构的相对的侧上倒转地提供的第一区段和第二区段的补偿结构，每个区段包括第一导电类型的第一补偿层和互补的第二导电类型的第二补偿层，其中，

所述条带结构在横向方向上延伸到单元区域周围的边缘区域中，所述条带结构在边缘区域中包括具有终止部分的端部区段；所述终止部分在具有第一导电类型的第一补偿层的区段中具有作为第二补偿层的导电类型的第二导电类型的注入区带。

2.如权利要求1所述的超级结半导体器件，进一步包括：

第一电极结构，被提供在所述半导体部分的被定向到台面区的一侧处，并且在单元区域中电连接到接通状态或前向电流在半导体器件的导通状态下流过的杂质区带。

3.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，所述填充结构包括空气间隙。

4.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中：

所述条带结构是在第一横向方向上延伸通过单元区域的线性条带；以及

所述端部区段的配置与得自线性条带结构到与半圆形终止部分组合的边缘区域中的投影的配置不同。

5.如权利要求4所述的超级结半导体器件，其中，所述端部区段被沿着所述第一横向方向分段。

6.如权利要求5所述的超级结半导体器件，其中，进一步的台面区沿着所述第一横向方向在空间上分离每个端部区段的分段。

7.如权利要求5所述的超级结半导体器件，进一步包括：

辅助条带结构，在边缘区域中与所述条带结构相交。

8.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，相邻的条带结构的端部区段具有沿着所述第一横向方向的不同的长度。

9.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，所述端部区段具有不同于单元区域中的所述条带结构的竖向延伸的与横向方向垂直的竖向延伸。

10.如权利要求9所述的超级结半导体器件，其中，单元区域包括第一导电类型的缓冲区，所述缓冲区至少在边缘区域的一部分中缺失。

11.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，相邻的条带结构的端部区段在结构上彼此连接，所连接的条带结构的所述第一补偿层形成第一连续层，并且所连接的条带结构的所述第二补偿层形成第二连续层。

12.如权利要求11所述的超级结半导体器件，其中，所述补偿结构的连接区段将各对相邻的条带结构的两个端部区段彼此连接。

13.如权利要求11所述的超级结半导体器件，其中，所述补偿结构的连接区段在第一侧处将所述条带结构中的一个的一个端部区段连接到所述条带结构的邻接条带结构的端部区段，并且在与所述第一侧相对的第二侧处将所述条带结构的另一端部区段连接到所述条带结构的邻接条带结构的端部区段。

14.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，对于所述条带结构中的每一个，与半圆形终止部分中的补偿度相比，终止部分中的补偿度从所述终止部分外部的补偿度偏离得更少。

15.如权利要求14所述的超级结半导体器件，其中，所述终止部分和/或邻接所述终止部分的所述半导体部分的区包括更靠近所述填充结构的补偿层的导电类型的所述注入区带。

16.如权利要求14所述的超级结半导体器件，其中，所述终止部分包括在与所述条带结构垂直的横向方向上行进的侧壁部分。

17.如权利要求14所述的超级结半导体器件，其中，所述终止部分包括具有比所述终止部分外部的所述填充结构的宽度更大的直径的圆形部分。

18.如权利要求14所述的超级结半导体器件，其中，所述终止部分包括对于所述条带结构倾斜而行进的两个会合部分。

19.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，所述超级结半导体器件在单元区域的第一部分中具有第一标称击穿电压，并且在单元区域的第二部分中具有比所述第一标称击穿电压更低的第二标称击穿电压。