[发明专利]发光二极管装置有效
| 申请号： | 201410172042.3 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104124329B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 陈怡名;顾浩民;吕志强;徐子杰 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管装置，包含一发光叠层包含一第一型半导体层，一第二型半导体层，及一活性层形在第一型半导体层与第二型半导体层间且发出一光线；以及一反射结构形成于第一型半导体层上并具有一第一界面与一第二界面；其中，光线于第一界面所产生的全反射角大于光线于第二界面所产生的全反射角；及其中，反射结构与第一型半导体层于第一界面形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装置，包含：发光叠层，包含第一型半导体层，第二型半导体层，及活性层形成在该第一型半导体层与该第二型半导体层间且发出一光线；以及反射结构，形成于该第一型半导体层上并具有第一界面与第二界面，该反射结构包含一透明导电层及一孔隙位于该透明导电层内；其中，该光线于该第一界面所产生的全反射角大于该光线于该第二界面所产生的全反射角；以及其中，该反射结构与该第一型半导体层于该第一界面形成欧姆接触。
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