[发明专利]发光二极管装置有效
| 申请号： | 201410172042.3 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104124329B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 陈怡名;顾浩民;吕志强;徐子杰 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 | ||
1.一种发光二极管装置，包含：
发光叠层，包含第一型半导体层，第二型半导体层，及活性层形成在该第一型半导体层与该第二型半导体层间且发出一光线；以及
反射结构，形成于该第一型半导体层上并具有第一界面与第二界面，该反射结构包含一透明导电层及一孔隙位于该透明导电层内；
其中，该光线于该第一界面所产生的全反射角大于该光线于该第二界面所产生的全反射角；以及
其中，该反射结构与该第一型半导体层于该第一界面形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该第一界面形成于该透明导电层与该第一型半导体层间，该第二界面形成于该孔隙与该第一型半导体层之间。
3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该反射结构包含金属层且该孔隙并未与该金属层接触。
4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该孔隙包含空气、氮气、氦气或氩气。
5.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包含结合层包覆该反射结构并与该第一型半导体层相接触。
6.如权利要求5所述的发光二极管装置，其中，该结合层与该第一型半导体层相接触以具有第三界面，该光线于该第三界面所产生的全反射角大于该光线于该第二界面所产生的全反射角。
7.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该孔隙具有一小于的高度。
8.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包含接触层，形成于该反射结构与该第一型半导体之间。
9.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，该第一界面的面积大于该第二界面的面积。
10.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包含电极形成于该第二型半导体层上，其中，该孔隙对应于该电极的位置并具有一大于该电极的宽度。
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