[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号: | 201410168649.4 | 申请日: | 2014-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN104851934B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
| 发明(设计)人: | 陈世伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明描述了太阳能电池器件和制造该器件的方法。制造太阳能电池包括提供衬底;在衬底上方沉积背面接触件;在背面接触件上方沉积吸收件;在吸收件上方沉积正面接触件;以及将高导热材料嵌入太阳能电池内。高导热材料可以嵌入衬底与背面接触件之间作为高导热层和/或嵌入P3划线内作为高导热填料。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:衬底;高导热层,位于所述衬底上方;背面接触件,位于所述高导热层上方;吸收件,位于所述背面接触件上方;以及正面接触件,位于所述吸收件上方;其中,还包括延伸穿过所述吸收件和所述正面接触件的P3划线,以及位于所述P3划线内的高导热填料,且所述高导热填料的顶面与所述正面接触件的顶面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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