[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号: | 201410168649.4 | 申请日: | 2014-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN104851934B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
| 发明(设计)人: | 陈世伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
衬底;
高导热层,位于所述衬底上方;
背面接触件,位于所述高导热层上方;
吸收件,位于所述背面接触件上方;以及
正面接触件,位于所述吸收件上方;
其中,还包括延伸穿过所述吸收件和所述正面接触件的P3划线,以及位于所述P3划线内的高导热填料,且所述高导热填料的顶面与所述正面接触件的顶面齐平。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述高导热层位于所述衬底上。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述高导热层包括比所述衬底的材料具有更大导热率的材料。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述高导热层的导热率为30W/(m·K)以上。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述高导热层的导热率为200W/(m·K)以上。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述高导热层的电阻率为1.00E+11Ω·m以上。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述高导热层包括薄膜。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述高导热层包括堆叠纳米颗粒。
9.一种太阳能电池,包括:
衬底;
背面接触件,位于所述衬底上方;
吸收件,位于所述背面接触件上方;
正面接触件,位于所述吸收件上方;以及
划线,延伸穿过所述吸收件和所述正面接触件,其中,所述划线包括位于所述划线中的高导热填料,且所述高导热填料的顶面与所述正面接触件的顶面齐平。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述高导热填料包括堆叠纳米颗粒。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述高导热填料包括氧化铝。
12.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述高导热填料包括氮化铝。
13.一种用于制造太阳能电池的方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底上方沉积背面接触件;
在所述背面接触件上方沉积吸收件;
在所述吸收件上方沉积正面接触件;以及
将高导热材料嵌入所述太阳能电池内;
其中,还包括划线P3线,所述P3线延伸穿过所述吸收件和所述正面接触件;并且其中,所述嵌入步骤包括在所述P3划线内沉积高导热填料,所述高导热填料的顶面与所述正面接触件的顶面齐平。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述嵌入步骤还包括在所述衬底和所述背面接触件之间沉积高导热层。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,通过物理汽相沉积来沉积所述高导热层。
16.根据权利要求14所述的方法,其中,通过原子层沉积来沉积所述高导热层。
17.根据权利要求13所述的方法,其中,通过喷射所述高导热材料的纳米颗粒沉积所述高导热填料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





