[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号: | 201410168649.4 | 申请日: | 2014-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN104851934B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
| 发明(设计)人: | 陈世伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光伏太阳能电池的制造。
背景技术
太阳能电池是通过光伏效应由阳光直接产生电流的电子器件。太阳能电池包括位于正面接触层和背面接触层之间的吸收层。吸收层吸收光以将其转化成电流。正面接触层和背面接触层帮助光捕获以及光电流提取,并且提供到太阳能电池的电接触。
太阳能电池的性能取决于器件操作的条件。包括器件温度、辐照度级、光谱分布、湿度和氧气的因数通常影响性能。特别地,室外操作器件可能遭受热降解。由于对清洁能源需求的增长,出现了各种类型的太阳能器件和子结构,并且不断地开发各种类型的太阳能器件和子结构以试图改进太阳能电池的性能。
发明内容
为解决现有技术中的问题,本发明提供了一种太阳能电池,包括:衬底;高导热层,位于所述衬底上方;背面接触件,位于所述高导热层上方;吸收件,位于所述背面接触件上方;以及正面接触件,位于所述吸收件上方。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热层位于所述衬底上。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热层包括比所述衬底的材料具有更大导热率的材料。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热层的导热率为约30W/(m·K)以上。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热层的导热率为约200W/(m·K)以上。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热层的电阻率为约1.00E+11Ω·m以上。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热层包括薄膜。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热层包括堆叠纳米颗粒。
在上述太阳能电池中,还包括延伸穿过所述吸收层和所述正面接触件的P3划线,以及位于所述P3划线内的高导热填料。
根据本发明的另一个方面,提供了一种太阳能电池,包括:衬底;背面接触件,位于所述衬底上方;吸收件,位于所述背面接触件上方;正面接触件,位于所述吸收件上方;以及划线,延伸穿过所述吸收件和所述正面接触件,其中,所述划线包括位于所述划线中的高导热填料。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热填料包括堆叠纳米颗粒。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热填料包括氧化铝。
在上述太阳能电池中,其中,所述高导热填料包括氮化铝。
根据本发明的又一个方面,提供了一种用于制造太阳能电池的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上方沉积背面接触件;在所述背面接触件上方沉积吸收件;在所述吸收件上方沉积正面接触件;以及将高导热材料嵌入所述太阳能电池内。
在上述方法,其中,所述嵌入步骤包括在所述衬底和所述背面接触件之间沉积高导热层。
在上述方法,其中,所述嵌入步骤包括在所述衬底和所述背面接触件之间沉积高导热层;通过物理汽相沉积来沉积所述高导热层。
在上述方法,其中,所述嵌入步骤包括在所述衬底和所述背面接触件之间沉积高导热层;通过原子层沉积来沉积所述高导热层。
在上述方法,还包括划线P3线,所述P3线延伸穿过所述吸收件和所述正面接触件;并且其中,所述嵌入步骤包括在所述P3划线内沉积高导热填料。
在上述方法,还包括划线P3线,所述P3线延伸穿过所述吸收件和所述正面接触件;并且其中,所述嵌入步骤包括在所述P3划线内沉积高导热填料;通过喷射所述高导热材料的纳米颗粒沉积所述高导热填料。
在上述方法,还包括划线P3线,所述P3线延伸穿过所述吸收件和所述正面接触件;并且其中,所述嵌入步骤包括在所述P3划线内沉积高导热填料;所述嵌入步骤还包括在所述衬底和所述背面接触件之间沉积高导热层。
附图说明
当结合附图进行阅读时,通过以下描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘出。事实上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1是根据一些实施例的太阳能电池的示意截面图。
图2是根据一些实施例的太阳能电池的示意截面图。
图3是根据一些实施例的太阳能电池的示意截面图。
图4是根据一些实施例的制造太阳能电池的方法的流程图。
图5是根据一些实施例的制造太阳能电池的方法的流程图。
图6是根据一些实施例的制造太阳能电池的方法的流程图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





