[发明专利]一种半导体器件和电子装置在审
申请号: | 201410167025.0 | 申请日: | 2014-04-24 |
公开(公告)号: | CN105097806A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 丁士成;傅丰华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L29/06 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;赵礼杰 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件和电子装置,涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件,包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的核心器件和虚拟器件;其中,所述核心器件包括位于半导体衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的应力层,所述虚拟器件包括位于半导体衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的应力层,并且,当所述虚拟器件与所述核心器件的类型相同时,所述虚拟器件的应力层与所述核心器件的应力层的材料相同。本发明的半导体器件由于所包括的虚拟器件与核心器件一样具有应力层,因此可以保证位于应力层之上的膜层具有良好的交叠表现,可以提高半导体器件的良率和可靠性。本发明的电子装置,由于使用了上述半导体器件,因而同样具有上述优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的核心器件和虚拟器件;其中,所述核心器件包括位于所述半导体衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的应力层,所述虚拟器件包括位于所述半导体衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的应力层,并且,当所述虚拟器件与所述核心器件的类型相同时,所述虚拟器件的应力层与所述核心器件的应力层的材料相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的