[发明专利]一种半导体器件和电子装置在审
| 申请号： | 201410167025.0 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105097806A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 丁士成;傅丰华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的核心器件和虚拟器件；其中，所述核心器件包括位于所述半导体衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的应力层，所述虚拟器件包括位于所述半导体衬底上的栅极以及位于所述栅极两侧的应力层，并且，当所述虚拟器件与所述核心器件的类型相同时，所述虚拟器件的应力层与所述核心器件的应力层的材料相同。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述核心器件为NMOS，所述虚拟器件为NMOS，所述核心器件的应力层与所述虚拟器件的应力层均为嵌入式碳硅层。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述核心器件为PMOS，所述虚拟器件为PMOS，所述核心器件的应力层与所述虚拟器件的应力层均为嵌入式锗硅层。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述核心器件包括NMOS和PMOS，所述虚拟器件包括NMOS和PMOS，所述核心器件中NMOS的应力层与所述虚拟器件中NMOS的应力层相同且均为嵌入式碳硅层，所述核心器件中PMOS的应力层与所述虚拟器件中PMOS的应力层相同且均为嵌入式锗硅层。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体器件中，所述虚拟器件的应力层形成抬升的源漏极。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述核心器件的栅极为金属栅极。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述虚拟器件的栅极为金属栅极。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体器件中，所述虚拟器件被成对设置。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，被成对设置的两个所述虚拟器件包括1个NMOS与1个PMOS。
10.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求1所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
