[发明专利]避免大长宽比图形的孔洞层光学邻近修正方法有效
申请号: | 201410163043.1 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN105093808B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 张婉娟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐洁晶 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种避免大长宽比图形的孔洞层光学邻近修正方法,包括步骤:A.提供待修正的原始图形;B.提供OPC的工艺模型;C.根据原始图形或OPC后的图形和工艺模型计算孔洞的轮廓;D.计算OPC后图形的每条边缘的EPE;E.判断EPE是否符合预定目标;若否,进入步骤F;若是,进入步骤I;F.对于每个图形,判断OPC后的长宽比是否大于要求以及在长度、宽度方向上的两条边缘的长度是否大于最小分段长度的两倍;若是,先进入步骤G,再进入步骤H;若否,直接进入步骤H;G.在目标层上将边缘分割成多个分段;H.移动边缘,返回步骤C;I.输出经过OPC后的图形。本发明能够在掩模版制造过程中获得更好的保真度,并确保在OPC模拟阶段具有更高的精确度。 | ||
搜索关键词: | 避免 大长宽 图形 孔洞 光学 邻近 修正 方法 | ||
【主权项】:
一种避免大长宽比图形的孔洞层光学邻近修正方法,包括步骤:A.提供待修正的原始图形;B.提供光学邻近修正的工艺模型;C.根据所述原始图形或光学邻近修正后的图形和所述工艺模型计算孔洞的轮廓;D.计算光学邻近修正后图形的每一条边缘的边缘位置误差;E.判断所述边缘位置误差是否符合预定目标;F.若所述边缘位置误差不符合所述预定目标,则对于每个图形,判断光学邻近修正后的长宽比是否大于要求以及在长度方向上的两条边缘的长度是否大于最小分段长度的两倍;G.若光学邻近修正后的长宽比大于要求以及在长度方向上的两条边缘的长度大于所述最小分段长度的两倍,则在目标层上将所述边缘分割成多个分段;H.移动所述边缘,重新返回上述步骤C;I.若所述边缘位置误差已符合所述预定目标,则输出经过光学邻近修正后的图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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