[发明专利]避免大长宽比图形的孔洞层光学邻近修正方法

说明书

本发明提供一种避免大长宽比图形的孔洞层光学邻近修正方法，包括步骤：A.提供待修正的原始图形；B.提供OPC的工艺模型；C.根据原始图形或OPC后的图形和工艺模型计算孔洞的轮廓；D.计算OPC后图形的每条边缘的EPE；E.判断EPE是否符合预定目标；若否，进入步骤F；若是，进入步骤I；F.对于每个图形，判断OPC后的长宽比是否大于要求以及在长度、宽度方向上的两条边缘的长度是否大于最小分段长度的两倍；若是，先进入步骤G，再进入步骤H；若否，直接进入步骤H；G.在目标层上将边缘分割成多个分段；H.移动边缘，返回步骤C；I.输出经过OPC后的图形。本发明能够在掩模版制造过程中获得更好的保真度，并确保在OPC模拟阶段具有更高的精确度。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺中的光学邻近修正技术领域，具体来说，本发明涉及一种在孔洞层光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)过程中避免大长宽比图形的方法。

背景技术

随着集成电路设计的高速发展，如何缩小版图图形光刻以后的变形和偏差，抑制光学邻近效应的负面作用，进而提高芯片生产的成品率，对芯片制造业的发展起着关键的作用。针对这一问题，目前业界普遍采用的一种方法为光学邻近修正，其通过改变原始版图图形的形状来减小曝光所获得的光刻图形的偏差。

现有技术中，光学邻近修正的过程一般包括：对原始版图图形进行光学模拟，获得模拟图形；通过对比所获得的模拟图形以及原始版图图形，对其中位置误差不在允许范围内的图案进行标注，并采用一定的校正原则对原始版图图形中与所述标注位置的图案进行校正，直至获得符合设计要求的模拟图形。

由于原始版图图形的布局风格随设计者而变化，具有多样性，直接对原始版图图形进行光学近邻校正通常将获得大量待标注和校正的图案，从而使校正过程花费大量的人力和时间。为此，业界也有提出一些对校正原则进行改善的方法，例如：通过事先对线段、线端、拐角等简单图案的组成部分设定校正规则，使校正原则不仅包括一些简单的校正方法，还可以包括这些特殊的校正规则的集合。当原始版图中出现类似图案时，将与图案对应的所述校正规则应用于实际校正过程中，以减少实际校正过程的时间，从而提高校正效率，节约成本。

为了消除光学邻近效应的影响，实际制造的光掩模版上的图形与所希望得到的光刻图形并不相同，光掩模版上的图形经过了光学邻近修正处理。此外随着特征尺寸(Critical Dimension，CD)进入更小范围，掩模版上的图形的线宽甚至只有光波长的1/3，除上述必要的光学邻近修正处理以外，通常还需要在曝光图形的周围辅以设置次分辨率辅助图形(Sub-resolution assistant feature，SRAF)。这些次分辨率辅助图形仅设置于光刻掩模版上，在实际曝光后其图形并不会转移至半导体器件，仅仅起到增加邻近曝光图形的聚焦深度，提高曝光精确度的作用。

对于更为先进的技术节点，后段工艺中孔洞层(hole layer)的设计具有非常密集的间距以及非常复杂的构造。只要达到最小边缘位置误差(minimum edge placementerror)的目标，许多大长宽比(big length-width ratio)(一般大于2.5)图形将会形成在光学邻近修正后(Post OPC)的版图上。

而在掩模版制造过程中，大长宽比图形具有明显更大的特征尺寸误差(长度方向具有负性误差，宽度方向具有正性误差)。

另外在OPC模型中，大长宽比图形也具有明显更大的预测误差。

对于上述由大长宽比图形的出现所带来的问题，现有技术中一般采取如下两种方式进行克服：

1.优化散射条(scattering bar)

对于某些图形，它能够有效地改变OPC后的形状。但是在密集的间距中，没有足够的空间来插入散射条。因此其不能彻底地解决这个问题。

2.在OPC菜单中限制长宽比