[发明专利]用于隔离间距倍增材料环的部分的方法及相关结构有效

专利信息
申请号: 201410162977.3 申请日: 2008-12-16
公开(公告)号: CN103904085B 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 卢安·C·特兰 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033;H01L27/11517;H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11524
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种集成电路及包含该集成电路的电装置。在一个实施例中,该集成电路包含半导体材料的多个间隔开的狭长条带;所述半导体材料的第一块,其位于与半导体材料的所述狭长条带相同的层面上,且接触所述狭长条带中的每一者的第一末端;以及第一多个晶体管栅极,其沿半导体材料的所述狭长条带设置,其中所述第一多个晶体管栅极中的一者设置于所述狭长条带中的每一者上,且其中第一多个晶体管栅极中的每一者电分流至所述第一块。
搜索关键词: 用于 隔离 间距 倍增 材料 部分 方法 相关 结构
【主权项】:
一种集成电路,其包含:由半导体材料形成的多个环,每一所述环由一对狭长部分定义,所述狭长部分在其相对的第一端和第二端处接合,其中所有所述第一端均由导电材料的第一邻接宽阔区域接合在一起,且其中所有所述第二端均由导电材料的第二邻接宽阔区域接合在一起;以及沿每一所述环安置的第一对间隔开的晶体管,其中每一所述环形成所述第一对间隔开的晶体管的有源区,其中所述第一对间隔开的晶体管的每一者均包含晶体管栅极,其中所述环的每一所述第一端与所述晶体管栅极共同分流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410162977.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top