[发明专利]用于隔离间距倍增材料环的部分的方法及相关结构有效
申请号: | 201410162977.3 | 申请日: | 2008-12-16 |
公开(公告)号: | CN103904085B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 卢安·C·特兰 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L27/11517;H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11524 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种集成电路及包含该集成电路的电装置。在一个实施例中,该集成电路包含半导体材料的多个间隔开的狭长条带;所述半导体材料的第一块,其位于与半导体材料的所述狭长条带相同的层面上,且接触所述狭长条带中的每一者的第一末端;以及第一多个晶体管栅极,其沿半导体材料的所述狭长条带设置,其中所述第一多个晶体管栅极中的一者设置于所述狭长条带中的每一者上,且其中第一多个晶体管栅极中的每一者电分流至所述第一块。 | ||
搜索关键词: | 用于 隔离 间距 倍增 材料 部分 方法 相关 结构 | ||
【主权项】:
一种集成电路,其包含:由半导体材料形成的多个环,每一所述环由一对狭长部分定义,所述狭长部分在其相对的第一端和第二端处接合,其中所有所述第一端均由导电材料的第一邻接宽阔区域接合在一起,且其中所有所述第二端均由导电材料的第二邻接宽阔区域接合在一起;以及沿每一所述环安置的第一对间隔开的晶体管,其中每一所述环形成所述第一对间隔开的晶体管的有源区,其中所述第一对间隔开的晶体管的每一者均包含晶体管栅极,其中所述环的每一所述第一端与所述晶体管栅极共同分流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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