[发明专利]用于隔离间距倍增材料环的部分的方法及相关结构

说明书

本申请是申请号为200880121431.6、申请日为2008年12月16日、发明名称为“用于隔离间距倍增材料环的部分的方法及相关结构”的发明专利申请的分案申请。

对相关申请案的参考

本申请案与下列申请案有关且以引用的方式并入有下列申请案的全部内容：阿巴切夫(Abatchev)等人于2004年9月2日申请的第10/934,778号美国专利申请案(代理人案号MICRON.294A)；特朗(Tran)等人于2004年8月31日申请的第10/931,771号美国专利申请案(代理人案号MICRON.295A)；特朗(Tran)等人于2005年8月31日申请的第11/216,477号美国专利申请案(代理人案号MICRON.314A)；及特朗(Tran)等人于2005年8月29日申请的第11/214,544号美国专利申请案(代理人案号MICRON.316A)。

技术领域

本发明大体上涉及集成电路及电子装置的制造，且更确切地说涉及制造方法及相关结构。

背景技术

由于许多因素(包括对增强的便携性、计算能力、存储器容量及能量效率的需求)，集成电路的大小在不断地减小。形成集成电路的构成特征(例如，电装置及互连线)的大小也在不断地减小以促进此大小减小。

减小特征大小的趋势(例如)在例如动态随机存取存储器(DRAM)、快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)、铁电(FE)存储器等的存储器电路或装置中是明显的。举一个实例，DRAM通常包括数百万或数十亿个相同电路元件，称作存储器单元。存储器单元通常由两个电装置组成：存储电容器及存取场效晶体管。每一存储器单元是可存储一位(二进制数字)数据的可寻址位置。可经由晶体管将位写入到单元且可通过感测电容器中的电荷来读取位。

在另一实例中，快闪存储器通常包括数十亿个含有可保留电荷的浮动栅极场效晶体管的快闪存储器单元。浮动栅极中的电荷的存在或不存在确定存储器单元的逻辑状态。可通过将电荷注入到单元或从单元移除电荷而将位写入到单元。快闪存储器单元可以不同架构配置来连接，每一架构配置具有用于读取位的不同方案。在“NOR”架构配置中，每一存储器单元耦合到一位线且可被个别地读取。在“NAND”架构配置中，存储器单元在单元的“串”中对准，且激活整个位线以存取单元串中的一者中的数据。

大体来说，通过减小构成存储器单元的电装置的大小及存取存储器单元的导电线的大小，可使存储器装置较小。另外，可通过在存储器装置中的给定区上装配更多存储器单元而增加存储容量。

间距的概念可用以描述例如存储器装置的集成电路中的特征的大小的一个方面。将间距定义为两个相邻特征(例如，阵列中的特征，其通常以重复图案布置)中的相同点之间的距离。所述特征通常由邻近特征之间的间隔来界定，所述间隔通常由例如绝缘体的材料来填充。因此，可将间距视为特征的宽度与在特征的一侧上将所述特征与相邻特征分开的间隔的宽度的和。应了解，间隔及特征(例如，线)通常重复以形成间隔物及特征的重复图案。

临界尺寸(CD)是用以描述特征的大小的另一术语。临界尺寸是特定电路或掩蔽方案中的特征的最小尺寸。在集成电路制造期间，控制特定结构(例如，浅沟槽隔离(STI)结构)的CD有助于通过(例如)确保可预测的电路性能来促进集成电路的连续大小减小。

特征大小的连续减小对用以形成所述特征的技术提出更大需求。举例来说，光刻在集成电路制造中通常用以图案化特征(例如，导电线)。然而，由于例如光学器件、光或辐射波长及可用光致抗蚀剂材料的因素，光刻技术可各自具有一最小间距或临界尺寸，特定光刻技术在所述最小间距或临界尺寸以下不能可靠地形成特征。因此，光刻技术的固有限制是连续特征大小减小的阻碍。