[发明专利]一种侧壁绝缘的圆片级CSP封装结构及其封装方法在审
| 申请号： | 201410156161.X | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103904045A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张黎;陈锦辉;赖志明;孙超 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/50 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 彭英 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种侧壁绝缘的圆片级CSP封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括带有若干个芯片电极（110）的硅基本体（101），还包括绝缘层（200），所述绝缘层（200）设置于芯片电极（110）一侧的所述硅基本体（101）的表面以及所述硅基本体（101）的侧壁，所述绝缘层（200）于芯片电极（110）的正上方开设绝缘层开口（201），所述绝缘层开口（201）内设置金属凸点（400），所述金属凸点（400）与芯片电极（110）固连。本发明的封装结构有效地消除了侧壁的爬锡现象，克服了芯片尺寸封装的漏电问题，提升了器件的良率，其封装方法简洁，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧壁 绝缘 圆片级 csp 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种侧壁绝缘的圆片级CSP封装结构，包括带有若干个芯片电极（110）的硅基本体（101），其特征在于：还包括绝缘层（200），所述绝缘层（200）设置于芯片电极（110）一侧的所述硅基本体（101）的表面以及所述硅基本体（101）的侧壁，所述绝缘层（200）于芯片电极（110）的正上方开设绝缘层开口（201），所述绝缘层开口（201）内设置金属凸点（400），所述金属凸点（400）与芯片电极（110）固连。
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