[发明专利]一种侧壁绝缘的圆片级CSP封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种侧壁绝缘的圆片级CSP封装结构，包括带有若干个芯片电极（110）的硅基本体（101），

其特征在于：还包括绝缘层（200），所述绝缘层（200）设置于芯片电极（110）一侧的所述硅基本体（101）的表面以及所述硅基本体（101）的侧壁，所述绝缘层（200）于芯片电极（110）的正上方开设绝缘层开口（201），所述绝缘层开口（201）内设置金属凸点（400），所述金属凸点（400）与芯片电极（110）固连。

2.根据权利要求1所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述芯片电极（110）呈阵列状分布。

3.根据权利要求1所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述金属凸点（400）于绝缘层（200）上方的高度h1， h1≥10μm。

4.根据权利要求3所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述金属凸点（400）于绝缘层（200）上方的高度h1，15μm≤h1≤25μm。

5.根据权利要求1所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：位于所述芯片电极（110）另一侧的所述硅基本体（101）的表面设置背面保护层（130）。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：位于所述芯片电极（110）一侧的所述硅基本体（101）的周边呈台阶状，所述芯片电极（110）位于台阶状的硅基本体（101）的顶部；所述绝缘层（200）设置于芯片电极（110）一侧的所述硅基本体（101）的表面以及所述硅基本体（101）的侧壁，所述绝缘层（200）于芯片电极（110）的正上方开设绝缘层开口（201），所述绝缘层开口（201）内设置金属凸点（400），所述金属凸点（400）与芯片电极（110）固连。

7.根据权利要求6所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述硅基本体（101）的台阶状侧壁至少有一阶台阶。

8.根据权利要求7所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述台阶的总深度h2≥30μm 。

9.根据权利要求8所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述台阶的总深度h2为100～150μm 。