[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置在审
| 申请号： | 201410146083.5 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103956386A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王灿;郭炜 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41;H01L21/28;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法以及显示装置。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中，所述栅极的上方和/或下方设置有栅缓冲层，所述源极与所述漏极的上方和/或下方设置有源漏缓冲层，所述栅缓冲层和所述源漏缓冲层采用氮氧化钼形成。该薄膜晶体管以及相应的阵列基板，采用具有较低电阻率的金属材料形成电极，且采用氮氧化钼形成隔离缓冲层，在保持较高导电性的同时，能改善电极与相邻层的附着性，并防止形成电极或引线的材料中金属离子的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其特征在于，所述栅极的上方和/或下方设置有栅缓冲层，所述源极与所述漏极的上方和/或下方设置有源漏缓冲层，所述栅缓冲层和所述源漏缓冲层采用氮氧化钼形成。
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