[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其特征在于，所述栅极的上方和/或下方设置有栅缓冲层，所述源极与所述漏极的上方和/或下方设置有源漏缓冲层，所述栅缓冲层和所述源漏缓冲层采用氮氧化钼形成。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氮氧化钼为Mo_nO_xN_y，其中：1≤n≤3、1≤x≤3、1≤y≤3。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种形成。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极均采用铜形成。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，设置于所述栅极的上方的所述栅缓冲层至少完全覆盖所述栅极，设置于所述栅极的下方的所述栅缓冲层至少对应着所述栅极在所述栅极底面的正投影区域；设置于所述源极与所述漏极的上方的所述源漏缓冲层至少完全覆盖所述源极与所述漏极，设置于所述源极与所述漏极的下方的所述源漏缓冲层至少对应着所述源极与所述漏极在所述源极与所述漏极底面的正投影区域。

6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅缓冲层和所述源漏缓冲层的厚度范围为

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。

9.一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、源极和漏极的步骤，其特征在于，所述栅极的上方和/或下方形成有栅缓冲层，所述源极与所述漏极的上方和/或下方形成有源漏缓冲层，所述栅缓冲层和所述源漏缓冲层均采用氮氧化钼形成。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述氮氧化钼为Mo_nO_xN_y，其中：1≤n≤3、1≤x≤3、1≤y≤3。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述栅缓冲层和所述源漏缓冲层采用构图工艺形成，所述构图工艺包括成膜步骤，成膜步骤中采用钼靶，通入包含氩气、氧气与氮气的混合气体进行溅射反应，形成缓冲膜层。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述混合气体中，氩气的体积含量为60-90%，氧气与氮气的体积和含量为10-40%。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述混合气体中，氩气的体积含量为70%，氧气与氮气的体积和含量为30%。

14.一种阵列基板的制备方法，包括形成薄膜晶体管的步骤，其特征在于，形成所述薄膜晶体管采用权利要求9-13任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。