[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种晶体管的形成方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成多个伪栅结构采用流体化学气相沉积法，在所述伪栅结构之间填充第一介质层，使第一介质层低于所述伪栅结构；在所述伪栅结构以及第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层的致密性高于所述第一介质层的致密性；去除伪栅结构中的伪栅，形成开口；在所述开口中形成金属栅极。流体化学气相沉积法填充的第一介质层在初始具有流动性，能够较好地填充于伪栅结构之间，并且不容易产生空隙等缺陷，第二介质层的硬度及抗刻蚀能力较强，在之后的金属栅极的形成过程中第二介质层能够保持较好的形貌，从而使得后续能够形成高度较为统一的金属栅极，保证晶体管的质量。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个伪栅结构，所述伪栅结构包括伪栅；在所述伪栅结构露出的衬底中形成源区、漏区；采用流体化学气相沉积法，在所述伪栅结构之间填充第一介质层，使第一介质层低于所述伪栅结构；采用化学气相沉积法在所述伪栅结构以及第一介质层上形成第二介质层，以使得所述第二介质层的致密性高于所述第一介质层的致密性；对所述第二介质层进行硅掺杂，以进一步提高第二介质层的硬度和抗刻蚀能力；进行硅掺杂后，平坦化所述第二介质层，使所述第二介质层的表面与伪栅结构中的伪栅表面齐平；去除伪栅结构中的伪栅，形成开口；在所述开口中形成金属栅极。