[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个伪栅结构，所述伪栅结构包括伪栅；

在所述伪栅结构露出的衬底中形成源区、漏区；

采用流体化学气相沉积法，在所述伪栅结构之间填充第一介质层，使第一介质层低于所述伪栅结构；

采用化学气相沉积法在所述伪栅结构以及第一介质层上形成第二介质层，以使得所述第二介质层的致密性高于所述第一介质层的致密性；

对所述第二介质层进行硅掺杂，以进一步提高第二介质层的硬度和抗刻蚀能力；

进行硅掺杂后，平坦化所述第二介质层，使所述第二介质层的表面与伪栅结构中的伪栅表面齐平；

去除伪栅结构中的伪栅，形成开口；

在所述开口中形成金属栅极。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述伪栅结构之间填充第一介质层的步骤包括:

采用流体化学气相沉积法在所述伪栅结构之间填充第一介质层，并使所述第一介质层高于伪栅结构；

对所述第一介质层进行固化处理；

平坦化固化处理后的所述第一介质层，使第一介质层与伪栅结构齐平；

对第一介质层进行回刻，去除部分厚度的第一介质层，使剩余的第一介质层低于所述伪栅结构。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述伪栅结构之间填充第一介质层，并使所述第一介质层高于伪栅结构的步骤中，填充的所述第一介质层的厚度在500埃到2000埃的范围内。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在去掉部分厚度的第一介质层使所述第一介质层低于伪栅结构的步骤中，去掉的第一介质层的厚度在200埃到300埃的范围内。

5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，采用流体化学气相沉积法在所述伪栅结构之间填充第一介质层的步骤中，所述第一介质层的材料为氧化硅。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在反应腔室内进行形成第一介质层的步骤，在所述伪栅结构之间填充以氧化硅为材料的第一介质层的步骤包括：反应腔室内通入包括三甲硅胺气体、氨气、氢气、氧气和水的反应物。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在反应腔室中进行所述固化处理，固化处理包括：

在反应腔室中通入臭氧；

使反应腔室中的温度在400摄氏度到600摄氏度的范围内，以进行退火。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，对所述第一介质层进行固化处理的步骤还包括：在退火之后，向反应腔室中通入氧气和水。

9.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在使第一介质层与伪栅结构齐平之后，对第一介质层进行回刻之前，还包括：对所述第一介质层进行硅掺杂。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在所述伪栅结构以及第一介质层上形成第二介质层的步骤中，所述第二介质层的厚度在300埃到500埃的范围内。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为氧化硅。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在提供衬底之后，形成多个伪栅结构之前，还包括在衬底上形成鳍；

在所述衬底上形成多个伪栅结构的步骤包括：在所述鳍上形成多个横跨所述鳍的伪栅结构。