[发明专利]半导体器件以及制造该半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410136127.6 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104103687B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 金锡勋;权兑昱;郑秀珍;金永弼;李炳赞;具本荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：鳍，在基板上；栅电极，在基板上交叉鳍；源/漏极，形成在栅电极的两侧的至少一个上，并包括第一膜和第二膜；以及应力膜，布置在基板上的隔离膜与源/漏极之间，并形成在鳍的侧表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；隔离膜，在所述基板上；以及鳍，穿过所述隔离膜中的凹陷而远离所述基板突出；栅电极，交叉所述鳍；源/漏极，形成在所述栅电极的一侧，所述源/漏极包括第一膜和第二膜；以及应力膜，在所述鳍的侧表面上，所述应力膜位于所述隔离膜和所述源/漏极之间，其中所述鳍包括：第一部分，具有在向上方向上比所述隔离膜的顶表面更突出的顶表面；和在所述第一部分的两侧上的第二部分，所述第二部分具有在所述向上方向上比所述隔离膜的所述顶表面更突出并且在所述向上方向上突出得少于所述第一部分的所述顶表面的顶表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410136127.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机发光显示装置及其制造方法
- 下一篇：有机发光显示装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
