[发明专利]半导体器件以及制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，该半导体器件包括：

基板；

隔离膜，在所述基板上；以及

鳍，穿过所述隔离膜中的凹陷而远离所述基板突出；

栅电极，交叉所述鳍；

源/漏极，形成在所述栅电极的一侧，所述源/漏极包括第一膜和第二膜；以及

应力膜，在所述鳍的侧表面上，所述应力膜位于所述隔离膜和所述源/漏极之间，

其中所述鳍包括：

第一部分，具有在向上方向上比所述隔离膜的顶表面更突出的顶表面；和

在所述第一部分的两侧上的第二部分，所述第二部分具有在所述向上方向上比所述隔离膜的所述顶表面更突出并且在所述向上方向上突出得少于所述第一部分的所述顶表面的顶表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述源/漏极与所述应力膜之间的间隔物。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一膜包括第一材料。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一材料包括Ge。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一膜包括第一至第三子膜，

所述第一至第三子膜包括分别具有第一至第三浓度的第一材料，并且

所述第一子膜在所述鳍的外表面上，所述第二子膜在所述第一子膜上与所述鳍相对，所述第三子膜在所述第二子膜上与所述第一子膜相对。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述鳍的外表面的宽度小于所述第一子膜的底表面的宽度。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二浓度高于所述第一浓度和第三浓度。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二浓度在40％至65％的范围内。

9.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述应力膜包括具有30％至65％的浓度的第一材料。

10.一种鳍型晶体管，包括：

鳍，远离基板突出并在所述基板上沿第一方向延伸，其中所述鳍穿过在所述基板上的隔离层中的凹陷突出；

源/漏极，在所述鳍的上表面上，所述源/漏极包括在所述鳍的所述上表面上并包括施加应力到所述鳍的第一应力材料的第一膜以及在所述第一膜上与所述鳍相对的第二膜，所述第二膜具有与所述第一膜不同的成分；

栅电极，在所述鳍上并邻近所述源/漏极，以及

应力膜，在所述隔离层与所述源/漏极之间且在所述鳍的侧表面上，

其中所述鳍包括：

第一部分，具有在向上方向上比所述隔离层的顶表面更突出的顶表面；和

在所述第一部分的两侧上的第二部分，所述第二部分具有在所述向上方向上比所述隔离层的所述顶表面更突出并且在所述向上方向上突出得少于所述第一部分的所述顶表面的顶表面。

11.如权利要求10所述的鳍型晶体管，其中所述第一膜包括第一子膜、第二子膜和第三子膜，所述第一子膜在所述鳍的上表面上，所述第二子膜在所述第一子膜上与所述鳍相对，所述第三子膜在所述第二子膜上与所述第一子膜相对，其中所述第二膜在所述第三子膜上且与所述第二子膜相对，其中所述鳍型晶体管还包括位于所述栅电极与所述源/漏极之间的间隔物。

12.如权利要求11所述的鳍型晶体管，其中所述第一子膜直接在所述鳍的外表面上，其中所述第一子膜沿第二方向的宽度大于所述鳍的外表面沿所述第二方向的宽度，所述第二方向垂直于所述第一方向。

13.如权利要求11所述的鳍型晶体管，其中所述第二子膜中的第一应力材料的浓度超过所述第一子膜和所述第三子膜中的第一应力材料的浓度。