[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201410129376.2 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103928406A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 孙双;张方振;牛菁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示装置制造技术领域，其可解决现有的阵列基板的生产成本高、工艺复杂的问题。本发明的阵列基板的制备方法，包括：在基底上通过一次构图工艺形成包括像素电极和薄膜晶体管源极的图形，其中，所述像素电极设于所述源极所在层的下层；在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管漏极、有源层、栅极绝缘层和栅极的图形，其中，所述有源层覆盖所述源、漏极，并通过栅极绝缘层与栅极隔开；在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺形成包括钝化层、公共电极，以及栅线的图形，其中，所述公共电极为狭缝电极，并通过钝化层与所述有源层和像素电极隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在基底上通过一次构图工艺形成包括像素电极和薄膜晶体管源极的图形，其中，所述像素电极设于所述源极所在层的下层；在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管漏极、有源层、栅极绝缘层和栅极的图形，其中，所述有源层覆盖所述源、漏极，并通过栅极绝缘层与栅极隔开；在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺形成包括钝化层、公共电极，以及栅线的图形，其中，所述公共电极为狭缝电极，并通过钝化层与所述有源层和像素电极隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
