[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示装置制造技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是一种重要的平板显示设备。根据驱动液晶的电场方向，可以分为垂直电场型和水平电场型。垂直电场型需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极，如常用的TN模式；而水平电场型则需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极，如ADS模式（高级超维场转换模式）。ADSDS（简称ADS）是京东方自主创新的以宽视角技术为代表的核心技术统称。ADS是指平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术（Advanced Super Dimension Switch），其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

如图1所示为现阶段常用的ADS底栅型阵列基板的器件结构图，其具体制备步骤包括：在基底上通过构图工艺，形成包括公共电极3的图形；在完成上述步骤的基底1上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管栅极2和栅线21的图形；在完成上述步骤的基底1上，形成栅极绝缘层4；在完成上述步骤的基底1上，通过构图工艺形成包括有源层6的图形；在完成上述基底1上形成刻蚀阻挡层7，并形成源漏接触区；在完成上述步骤的基底1上，通过构图工艺形成包括源极5-1、漏极5-2，以及数据线的图形，其中源极5-1和漏极5-2与有源层接触；在完成上述步骤的基底1上，形成钝化层8；在完成上述步骤的基底1上，通过构图工艺形成包括像素电极9的图形。对于ADS型阵列基板的制作，使用较多的就是上述的5次光刻（Mask）工艺。但是发明人发现，由于掩膜板造价昂贵，采用5次光刻（Mask）工艺制备阵列基板，工艺复杂，开发费用较高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板的生产成本较高的问题，提供一种工艺简单的成本较低的阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括：

在基底上通过一次构图工艺形成包括像素电极和薄膜晶体管源极的图形，其中，所述像素电极设于所述源极所在层的下层；

在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管漏极、有源层、栅极绝缘层和栅极的图形，其中，所述有源层覆盖所述源、漏极，并通过栅极绝缘层与栅极隔开；

在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺形成包括钝化层、公共电极，以及栅线的图形，其中，所述公共电极为狭缝电极，并通过钝化层与所述有源层和像素电极隔开。

本发明的阵列基板的制备方法只采用3次掩膜板，故其大大的节约制备成本，提高了生产效率，适应性更强。

优选的是，所述在基底上通过一次构图工艺形成包括像素电极和薄膜晶体管源极的图形具体包括：

在基底上依次形成第一透明导电薄膜和源漏金属薄膜；

在完成上述步骤的基底上涂覆第一光刻胶层，进行曝光形成第一光刻胶保留区和第一光刻胶去除区，进行显影将第一光刻胶去除区的光刻胶完全去除，第一光刻胶保留区的光刻胶完全保留；

对完成上述步骤的基底采用湿法刻蚀，将第一光刻胶去除区的源漏金属薄膜以及第一透明导电薄膜去除；

将完成上述步骤的基底上的剩余光刻胶剥离，形成包括像素电极、薄膜晶体管源极的图形的同时还形成包括数据线的图形，以及位于所述像素电极上方的剩余的源漏金属薄膜。

优选的是，所述通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管漏极、有源层、栅极绝缘层和栅极的图形具体包括：

在形成有像素电极、薄膜晶体管源极、数据线，以及位于所述像素电极上方的剩余的源漏金属薄膜的基底上依次形成有源层薄膜、栅极绝缘层薄膜和栅极金属薄膜；

在完成上述步骤的基底上涂覆第二光刻胶层，进行曝光形成第二光刻胶保留区和第二光刻胶去除区，进行显影将第二光刻胶去除区的光刻胶完全去除，第二光刻胶保留区的光刻胶完全保留；